[实用新型]一种单相PWM整流器

权利要求书

1.一种单相PWM整流器，其特征在于：包括控制器(9)、用于将单相交流电变换为直流电的PWM整流单元(11)和与所述控制器(9)输出相接用于调节PWM整流单元(11)信号输出的MOSFET驱动电路(10)，所述PWM整流单元(11)和所述控制器(9)之间分别接有用于采集并调理所述PWM整流单元(11)交流电流信号的电流采集模块(12)和用于采集并调理所述PWM整流单元(11)直流输出电压的电压采集模块(13)；所述PWM整流单元(11)包括依次连接的市电(1)、变压器(2)和与所述MOSFET驱动电路(10)输出端相接的MOSFET全桥整流电路(3)；所述电流采集模块(12)包括依次连接的电流采样电路(6)、电流调理电路(7)和第一隔离电路(8)，所述电压采集模块(13)包括与所述MOSFET全桥整流电路(3)输出端相接的V/F转换电路(4)和与所述V/F转换电路(4)输出端相接的第二隔离电路(5)；所述第一隔离电路(8)的输出端和与所述第二隔离电路(5)的输出端均与控制器(9)输入端相接；所述电流采样电路(6)的输入端与所述变压器(2)的输出端相接。

2.按照权利要求1所述的一种单相PWM整流器，其特征在于：所述变压器(2)包括变压器T2，所述变压器T2原边一端经保险丝FU1与市电(1)的一端相接，变压器T2原边另一端经电阻R8与市电(1)的另一端相接，变压器T2副边一端经电感L16与电阻R6的一端相接。

3.按照权利要求2所述的一种单相PWM整流器，其特征在于：所述MOSFET全桥整流电路(3)包括MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3和MOSFET管Q4，所述MOSFET管Q1的源极和MOSFET管Q3的漏极相接，MOSFET管Q1的源极和MOSFET管Q3的漏极的连接端与电阻R6的另一端相接，MOSFET管Q2的源极和MOSFET管Q4的漏极相接，MOSFET管Q2的源极和MOSFET管Q4的漏极的连接端与变压器T2副边另一端相接，MOSFET管Q1的漏极和MOSFET管Q2的漏极的连接端与并联的电阻R7和电容C5的一端相接，MOSFET管Q3的源极和MOSFET管Q4的源极的连接端与并联的电阻R7和电容C5的另一端相接。

4.按照权利要求2所述的一种单相PWM整流器，其特征在于：所述电流采样电路(6)包括电流互感器T1，所述电流互感器T1原边的一端与变压器T2副边一端和电感L16的连接端相接，电流互感器T1原边的另一端接地；

所述电流调理电路(7)包括运放LM324，所述运放LM324的反向输入端分两路，一路经电阻R1与电流互感器T1副边的一端相接，另一路经电阻R2和电阻R4与运放LM324的同向输入端相接；电阻R2和电阻R4的连接端接地，运放LM324的同向输入端经电阻R5与电流互感器T1副边的另一端相接；

所述第一隔离电路(8)包括型号为TLP521-1的芯片U1，所述芯片U1的第1管脚与运放LM324的输出端相接，芯片U1的第2管脚和第3管脚均接地，芯片U1的第4管脚分两路，一路与控制器(9)相接，另一路经电阻R3与5V电源输出端相接。

5.按照权利要求3所述的一种单相PWM整流器，其特征在于：所述V/F转换电路(4)包括芯片LM311，所述芯片LM311的第3管脚经电阻R12与并联的电阻R7和电容C5的一端相接，芯片LM311的第2管脚分两路，一路经电阻R9接地，另一路与芯片LM311的第5管脚相接；芯片LM311的第5管脚经电容C10和电阻R11与滑动电阻R10的滑动端相接，滑动电阻R10的一个固定端与12V电源输出端相接，滑动电阻R10的另一个固定端接地，芯片LM311的第7管脚分两路，一路经可变电阻R17接地，另一路与电阻R18一端相接；

所述第二隔离电路(5)包括型号为TLP521-1的芯片U2，所述芯片U2的第1管脚与电阻R18另一端相接，芯片U2的第2管脚和第3管脚均接地，芯片U2的第4管脚分两路，一路与控制器(9)相接，另一路经电阻R16与5V电源输出端相接。