[实用新型]一种全彩氮化镓基LED芯片结构有效
| 申请号： | 201520978537.5 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN205282497U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;易翰翔;刘洋;许徳裕 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/50 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529030 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 全彩 氮化 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:包括氮化镓基的LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N-GaN层（20）、发光层（30）和P-GaN层（40），LED晶圆外设置有透明绝缘的光阻层（60），所述LED芯片设置有红光区和绿光区。
2.根据权利要求1所述的一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:所述红光区和绿光区之间通过刻蚀设置有绝缘的芯片隔离带。
3.根据权利要求2所述的一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:所述LED芯片的部分光阻层（60）不掺入量子点，形成蓝光区。
4.根据权利要求3所述的一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:所述蓝光区与红光区、绿光区之间通过刻蚀分别设置有绝缘的芯片隔离带。
5.根据权利要求1至4任一所述的一种全彩氮化镓基LED芯片结构，其特征在于:所述N-GaN层（20）和P-GaN层（40）上分别设置有金属电极（51；52），所述光阻层（60）上设置有使金属电极（51；52）外露的缺口。
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