[实用新型]一种石墨烯室温太赫兹波探测器

说明书

技术领域

本发明涉及一种太赫兹波探测器，特别涉及一种在室温条件下石墨烯/对数周期天线/蓝宝石衬底结构对太赫兹波实现高速、高灵敏度、高信噪比的探测器。

背景技术

太赫兹波(Terahertz,Hz)辐射是指频率在0.1～10THz(波长3mm～30um)之间的电磁波，位于远红外和微波相互交叉的波段，长期以来缺乏相应的方法对其进行产生和探测，从而形成THz空白(terahertzgap)。

太赫兹光子特点与应用：(a)光子能量小；生物大分子和DNA分子的旋转及振动能级多处于太赫兹波段，太赫兹辐射可用于疾病诊断、生物体的探测及癌细胞的表皮成像。(b)对许多介质材料具有高透射性；可以对物体进行无损探伤，比如对重要航天器材料内部所掩埋的缺陷探测可以排除安全隐患。(c)太赫兹波在太空环境中被吸收得较少，传播距离远，可以用于对星际形成过程和介质化学性质分析。

实现太赫兹技术应用与突破，其中一个关键技术就是太赫兹波探测，需要发展具备可控半导体材料-入射光场相互作用以及太赫兹波光电响应能力的探测器件。但是，传统地室温下依靠量子阱子带间跃迁的方法很难实现辐射探测目的，因为光子的能量要比热能量小很多，很容易达到热饱。目前，应用较多的商用太赫兹波探测器包括辐射热机(需要制冷)、肖特基二极管(低于1Hz以下)、热释电探测器(响应速度慢)等缺点，因此，需要探索新的物理原理和利用新的半导体材料实现太赫兹波探测。由于低维碳材料具有独特的物理结构，特殊的电学特性，为新型光电功能转换特性的研究提供了良好的平台，其中最具典型的是石墨烯。

Dyakonov和Shur阐述了场效应管中等离子体波在沟道中被激发实现太赫兹波探测，在太赫兹辐射激发下，器件的沟道会有一个直流压降产生光响应；同时，非线性效应使得器件对入射太赫兹波进行有效的频率倍增产生高阶谐波，该太赫兹辐射探测理论得到多方面的实验验证。

发明内容

基于现有技术的缺陷和理论的支撑，本专利的目的是提出以载流子浓度可调和高迁移率的石墨烯为基本结构单元，同时，集成对数周期天线结构和引线电极，一种石墨烯/对数周期天线/蓝宝石衬底太赫兹波探测器件，最终在室温条件下实现宽频、高速、高灵敏度、高信噪的THz探测。

本专利的上述目的，将通过以下技术方案得以实现：

探测器件在蓝宝石衬底4上蒸镀对数周期天线2结构以及引线电极3，太赫兹波耦合对数周期天线2两边分别与对应的引线电极3相连，在对数周期天线2间距中转移具有载流子浓度10¹¹～10¹⁴cm^-2可调和高迁移率1000～10000cm²V^-1s^-1的石墨烯1导电沟道，保证石墨烯1与两边对数周期天线2互连；

所述的蓝宝石衬底4的厚度为0.5～1mm；

所述的对数周期天线2的尺寸为：外半径1～2mm，厚度100～200nm；

所述的引线电极3的厚度为200～400nm；

所述的导电沟道长度为6～80um。

本专利的上述目的，是通过以下技术方案制作完成的。

1)首先将蓝宝石衬底进行表面清洗，并通过切割技术将衬底和铜片上生长的石墨烯切成小样品；

2)使用紫外光刻、电子束蒸发法及lift-off剥离工艺制备对数周期天线结构和引线电极，包括沟道、紫外光刻的对准标记以及电子束光刻对准标记；

3)将铜片上生长的石墨烯，通过FeCl₃溶液刻蚀法，刻蚀铜片衬底约24h，然后在体积比约1/10的稀释盐酸和去离子水混合溶液中清洗覆盖PMMA石墨烯薄膜，清洗完，将覆盖PMMA的石墨烯薄膜转移到具有天线结构的蓝宝石衬底上，阴干约4h，在丙酮中静置20～25min去除PMMA，最后，在60～80℃的温度条件下烘干20～25min；

4)利用紫外光刻和O₂离子刻蚀法，刻蚀长度约6～80um石墨烯导电沟道，并在体积比约1/5氢气和氮气混合气体下进行约300℃高温退火处理，去除石墨烯残留的光刻胶和水，形成良好的欧姆接触；

5)通过紫外光刻、电子束蒸发和剥离工艺制备300～400nm加厚电极；

6)最后，采用正规的半导体封装技术，对器件进行封装。

实现本专利的技术方案，其创新优点体现在：