[实用新型]一种二极管有效
| 申请号： | 201520981860.8 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205211762U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 | ||
1.一种二极管，其特征在于：所述二极管包括，硅衬底、发光层、渐变层和两个PN结构，其中，所述PN结构，一个是扩散结，另一个是合金结；所述扩散结包围合金结，所述合金结的结深大于扩散结的结深；所述合金结和扩散结均为掺杂PN结，所述合金结的掺杂浓度小于扩散结的掺杂浓度，所述PN结构中的N型氮化硅层形成于所述衬底之上，所述发光层形成于N型氮化硅层之上；所述PN结构中的P型氮化硅层，形成于所述发光层之上，所述二极管还包括P+型氮化物层和N+型氮化物层，P+型氮化物层形成于所述P型氮化硅层之上，所述渐变层为氮化铟铝镓渐变层，形成于高P+型氮化物层之上，N+型氮化物层、形成于所述氮化铟铝镓渐变层之上。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于：所述二极管包括还包括位于碳化硅层上的正面金属、位于渐变层中有源区四周的终端结构，以及位于渐变层之上掩膜层，P区和P+区之间的掺杂区由若干个同心P+圆环及其之间的掺杂区，以及在这之上的氮化硅、正面金属或掩膜层和在这之下的渐变层、衬底和背面金属组成的结构并联而成。
3.根据权利要求2所述的二极管，其特征在于：所述掩膜层为二氧化硅、多晶硅、磷硅玻璃、氮硅玻璃或聚酰亚胺。
4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于：所述氮化铟铝镓层的厚度为25nm；所述P+型层厚度为25nm；所述N+型层厚度为25nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朝阳无线电元件有限责任公司，未经朝阳无线电元件有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520981860.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有组合接头的肖特基二极管装置
- 下一篇：多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管
- 同类专利
- 专利分类
