[实用新型]一种大功率可调LED有效
申请号: | 201520983547.8 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN205249527U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 王中于 | 申请(专利权)人: | 广州中逸光电子科技有限公司 |
主分类号: | H05B33/08 | 分类号: | H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市经济*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 可调 led | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LED,具体是一种大功率可调LED。
背景技术
近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。按固体发光物理学原理,发光效率能接近100%,具有工作电压低、耗电量小、响应时间短、发光效率高、抗冲击、使用寿命长、光色纯、性能稳定可靠及成本低等优点。随着LED价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。大功率LED灯有节能高效等诸多优点,很有发展前景,其驱动与调光是近年来研究的热点,现有的一些调光电路采用专用调光芯片控制,成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种大功率可调LED,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种大功率可调LED,包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1,所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端,变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU,熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极,发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2,电容C2另一端连接电阻R4,电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2,变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和双基极二极管VT1的第一基极,电阻R2另一端连接电位器RP2,电位器RP2滑片连接电位器RP1一端,电位器RP1滑片分别连接电容C1另一端和双基极二极管VT1发射极,双基极二极管VT1第二基极分别连接电阻R3另一端和二极管D3正极,二极管D3负极连接单向可控硅VS的G极。
作为本实用新型再进一步的方案:所述双基极二极管采用BT33F。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型大功率可调LED采用单向可控硅配合双基极二极管,对电路进行触发控制,电路结构简单,成本低,体积小,适用范围广。
附图说明
图1为大功率可调LED的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种大功率可调LED,包括变压器T、电阻R1、电容C1、电位器RP1、二极管D1、熔断器FU和双基极二极管VT1,所述变压器T线圈L1一端分别连接单向可控硅VS的A极和220V交流电一端,变压器T线圈L1另一端分别连接220V交流电另一端和熔断器FU,熔断器FU另一端连接发光二极管D4负极,发光二极管D4负极分别连接电阻R5和电容C2,电容C2另一端连接电阻R4,电阻R4另一端分别连接电阻R5另一端、单向可控硅VS的K极、电阻R3、电容C1、二极管D2正极和变压器T线圈L2,变压器T线圈L2另一端连接二极管D1正极,二极管D1负极连接电阻R1,电阻R1另一端分别连接二极管D2负极、电阻R2和双基极二极管VT1的第一基极,电阻R2另一端连接电位器RP2,电位器RP2滑片连接电位器RP1一端,电位器RP1滑片分别连接电容C1另一端和双基极二极管VT1发射极,双基极二极管VT1第二基极分别连接电阻R3另一端和二极管D3正极,二极管D3负极连接单向可控硅VS的G极。
所述双基极二极管采用BT33F。
本实用新型的工作原理是:请参阅图1,变压器T为双基极管VT1提供工作电压,双基极管VT1及相应外围元件组成一个振荡器,振荡频率可由RP1、RP2控制,在本电路中,RP1、RP2取值相差较大,所以在工作中,RP2可起粗调作用,RP1起细调作用,这对驱动单个发光二极管尤为重要,可避免损坏发光二极管。由VT1产生的振荡脉冲经D3隔离,触发单向可控硅VS,驱动D4的电流大小及电压的高低取决于振荡器的输出脉冲,即由振荡频率决定。
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