[实用新型]一种新型光电探测器有效
申请号: | 201520983567.5 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN205248286U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 单永;张锋 | 申请(专利权)人: | 安徽润尔光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 合肥鼎途知识产权代理事务所(普通合伙) 34122 | 代理人: | 叶丹 |
地址: | 233501 安徽省亳州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 光电 探测器 | ||
1.一种新型光电探测器,包括外壳,其特征在于,外壳内依次 层叠设置有InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层、第二 电极、第一电极,以及设置在第二电极一端的电极引线,所述第二电 极为透明电极;
外壳包括可拆的壳体部分和安装板,可拆的壳体部分为外壳的主 体部分,壳体部分和安装板卡接,安装板上设有定位元件。
2.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 所述第二电极为任意图形。
3.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 所述第一电极层叠设置在所述InP衬底远离所述InP缓冲层的一侧。
4.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 所述InP缓冲层与InGaAs光敏层形成暴露所述InP缓冲层部分区域 的台阶,所述第一电极直接设置在InP缓冲层的暴露区域上。
5.根据权利要求1-4所述的一种新型光电探测器,其特征在 于,还包括设置在InGaAs光敏层与InP帽层侧壁的钝化层。
6.根据权利要求5所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 所述第二电极上还设置减反层,用于减少第二电极和/或InP帽的反 射光线。
7.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 可拆壳体部分与安装板可拆式连接;壳体正表面包括与安装板连接的 主体部分,可拆壳体部分与壳体主体部分可拆式连接。
8.根据权利要求1所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 所述定位元件包括4个安装钩和2个定位槽,4个安装钩沿安装板圆 周均匀设置,安装板的周边设置2个定位槽。
9.根据权利要求8所述的一种新型光电探测器,其特征在于, 还设有安装座,安装板安装于安装座上,安装座设有与安装钩配合勾 连的连接槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的