[实用新型]一种中低压台面二极管芯片有效
| 申请号： | 201520983605.7 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205231072U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李朝晖;李健儿;冯艾诚;胡仲波;陈华明;冯永 | 申请（专利权）人： | 四川上特科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/29 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 胡林 |
| 地址： | 629200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 台面 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种中低压台面二极管芯片，包括PN结（1）和钝化膜层（2），其特征在于：所述钝化膜层（2）包覆在PN结（1）外部的台面侧壁，钝化膜层（2）包括掺氧半绝缘多晶硅层（21）和不掺杂氧化硅层（22），所述掺氧半绝缘多晶硅层（21）与所述台面侧壁直接接触。
2.如权利要求1所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述PN结（1）的N区（11）外侧设有N+层（3）。
3.如权利要求1所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述掺氧半绝缘多晶硅层（21）的厚度为0.3～0.5μm。
4.如权利要求1所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述不掺杂氧化硅层（22）的厚度为0.6～1.0μm。
5.如权利要求1所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述PN结（1）的P区（12）厚度为80～90μm，N区（11）厚度为120～140μm。
6.如权利要求2所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述N+层（3）的厚度为50～60μm。
7.如权利要求1所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述PN结（1）的P区（12）外侧、N+层（3）外侧还有镀镍层（4）。
8.如权利要求7所述的中低压台面二极管芯片，其特征在于：所述镀镍层（4）的厚度为0.9～1.1μm。
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