[实用新型]栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路。

背景技术

目前使用的一种太阳能贮电系统，要把高达24V的直流电压给不到13V的 电池进行充电，由于线性降压方式损耗太大，通常采用DC-DC型开关降压方式。 目前主要采用用单片机控制P-MOSFET的导通和关断，请参见图1，由于单片 机的工作电压通常在5V以下，其I/O口不能直接连接高压的MOSFET端，需 要增加驱动电路，由于输入的电压较高，经过Q2后，电压完全落在Q3的发射 极，高电压经Q3对地导通后，同时产生大电流，使Q3处于过负荷工作状态， 以致影响下一周期的截止，长期如此反复进行，Q1也不能工作在正常的通断状 态，导致整个电路调制处于失控状态，满负载工作30分钟以上，Q1，Q2，Q3 的温度超过80℃，易发热且电路损耗很大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种栅极限流型高效 P-MOSFET驱动电路，其具有节能、高效的特性。

本实用新型是这样实现的：一栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路，其包 括：三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3的基极 连接，三级管Q2的发射极和三级管Q3的发射极之间通过一电阻R2连接，三 极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极，三极管 Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集电极连 接至一场效应管Q1的源极，三极管Q2的基极和所述场效应管Q1的源极之间 接有电阻R1，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的栅极，所述场 效应管Q1的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Q1的漏极用以连接至 输出端。

本实用新型三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2 连接，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的源极，增加了电阻R2 后，经过Q3的电流大大降低，减少了三极管Q3的发热，Q3也能更好地实现开 关效果，同时通过R2上的电压，有效控制场效应管Q1的开启和闭合，节省了 电能，提高了工作效率，也大大减少了热量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的背景技术的电路图；

图2为本实用新型实施例提供的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方 案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实 施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人 员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型 保护的范围。

如图2，本实用新型实施例提供一栅极限流型高效P-MOSFET驱动电路， 其包括：三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4，三极管Q2的基极和三极管Q3 的基极连接，三极管Q2的发射极和三极管Q3的发射极之间通过一电阻R2连 接，三极管Q3的集电极接地，三极管Q3的基极连接至三极管Q4的集电极， 三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极用以接主控PWM，三极管Q2的集 电极连接至一场效应管Q1的源极，三级管Q2的基极和所述场效应管Q1的源 极之间接有电阻R1，三极管Q2的发射极直接连接至所述场效应管Q1的栅极， 所述场效应管Q1的源极用以连接至太阳能电源，所述场效应管Q1的漏极用以 连接至输出端。

使用时，增加了电阻R2后，R2主要分担经过三级管Q2的发射基出来的电 压，使得经过Q3的电流大大降低，降低了驱动电流，Q3也能周期性地开启和 关闭，对于场效应管Q1，只要有电压能够开启即可实现场效应管Q1的导通和 截至，大大提高了电路的充电效率，使电路能够长时间处于良好的工作状态。此 电路能实现太阳能电压6-24V范围的恒流恒压充电调制功能。并且，在电路板 的应用上，不需额外增加散热器，降低了整个电路的成本。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型， 凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均 应包含在本实用新型的保护范围之内。