[实用新型]一种具有部分埋氧结构的IGBT有效
| 申请号： | 201520989870.6 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN205264711U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈利;徐承福;高耿辉;姜帆 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 结构 igbt | ||
1.一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于，包括：
N-型基区(1)；
位于所述N-型基区(1)下表面内两侧的两个埋氧(4)；
位于所述N-型基区(1)下表面内中部、所述两个埋氧(4)之间的背P+ 发射区(3)；
位于所述N-型基区(1)上表面内两侧的两个P型基区(2)；
位于所述两个P型基区(2)上表面内中部的两个N+集电区(5)；
位于所述N-型基区(1)上表面以及所述P型基区(2)和N+集电区(5) 部分上表面的栅氧化层(6)；
位于所述栅氧化层(6)上表面的多晶栅(7)。
2.根据权利要求1所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于： 还包括位于所述P型基区(2)和N+集电区(5)另一部分上表面的发射极(9)。
3.根据权利要求2所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于： 所述发射极(9)和栅氧化层(6)之间有间隙。
4.根据权利要求1所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于： 还包括位于所述多晶栅(7)上表面的栅电极(10)。
5.根据权利要求1所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于： 还包括位于所述背P+发射区(3)和埋氧(4)下表面的集电极(8)。
6.根据权利要求1所述的一种具有部分埋氧结构的IGBT，其特征在于： 所述埋氧(4)为二氧化硅。
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