[实用新型]一种快速软恢复二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种快速软恢复二极管。

背景技术

快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特 点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子 电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极 管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基 区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向 压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。

快速软恢复二极管是PIN型的双极器件，当其处于正向导通状态，即阳 极相对于阴极加正电压时，其阳极和阴极分别向n-区注入空穴和电子，由于 n-区的掺杂浓度很低，注入到n-区的空穴浓度远远大于n-区衬底的掺杂浓 度，n-区产生强烈的电导调制效应，电导率大大提高，使得快速软恢复二极 管的通态压降维持在较低的水平。

实用新型内容

本实用新型为解决上述问题，提供了一种快速软恢复二极管。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种快速软恢复二极管，包括：

一阴极n+区(1)；

一p+缓冲区(2)，配置于该阴极n+区(1)上；

一n缓冲区(3)，配置于该阴极n+区(1)及该p+缓冲区(2)上并覆盖 该p+缓冲区(2)；

一n-漂移区(4)，配置于该n缓冲区(3)上；

一p基区(5)，配置于该n-漂移区(4)上；

一阳极p+区(6)，配置于该p基区(5)上。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型在n缓冲区和阴极n+区之间引入p+缓冲区，该结构阴极隐埋 p+缓冲区形成两个背靠背的pn结，而对于n+n结可以将其等效为电阻，故其 阴极等效电路为两个背靠背pn结与电阻的并联；该结构在阴极侧隐埋的p+ 缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+结 处的电场强度，改善反向恢复软度，降低反向恢复峰值功耗，并提高了抗反 向恢复动态动态雪崩能力。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新 型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并 不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图；

图示说明：阴极n+区-1；p+缓冲区-2；n缓冲区-3；n-漂移区-4；p基区-5； 阳极p+区-6。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清 楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应 当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本 实用新型。

如图1所示，本实用新型提供一种快速软恢复二极管，包括：

一阴极n+区(1)；

一p+缓冲区(2)，配置于该阴极n+区(1)上；

一n缓冲区(3)，配置于该阴极n+区(1)及该p+缓冲区(2)上并覆 盖该p+缓冲区(2)；

一n-漂移区(4)，配置于该n缓冲区(3)上；

一p基区(5)，配置于该n-漂移区(4)上；

一阳极p+区(6)，配置于该p基区(5)上。

本实用新型在n缓冲区和阴极n+区之间引入p+缓冲区，该结构阴极隐 埋p+缓冲区形成两个背靠背的pn结，而对于n+n结可以将其等效为电阻， 故其阴极等效电路为两个背靠背pn结与电阻的并联；该结构在阴极侧隐埋的 p+缓冲区，在反向恢复期间可以向n-漂移区注入少数载流子空穴，降低nn+ 结处的电场强度，改善反向恢复软度，降低反向恢复峰值功耗，并提高了抗 反向恢复动态动态雪崩能力。

上述说明示出并描述了本实用新型的优选实施例，如前所述，应当理解 本实用新型并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除， 而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述实用新型构想范围 内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行 的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围，则都应在本实用新型所附权 利要求的保护范围内。