[实用新型]用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板有效
申请号: | 201520992342.6 | 申请日: | 2015-12-04 |
公开(公告)号: | CN205275778U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 纪东方;郭宽新;韦家庚;朱庆龙 | 申请(专利权)人: | 海润光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰;申萍 |
地址: | 214406 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 铸造 多晶 硅漏硅 快速 报警 坩埚 垫板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板。属于多晶硅制造领域。
背景技术
不可再生能源的不断减少,使得可再生能源越来越受到广泛的关注,风能,水能等可再生能源受到地理位置、气候等条件的极大影响,太阳能的利用成为了可再生资源利用的主力军。在铸造多晶硅生产过程中,不可避免的会因坩埚强度、坩埚运输过程磕碰、硅料密度过大等原因而出现漏硅事故。现有漏硅报警机制为硅液毫无引导地沿着光滑平整的坩埚垫板流动,在重力作用下,落在下方石墨碳毡上,而碳毡每边只有3-4个溢流孔,很难保证硅液第一时间即落入溢流孔中,报警通常较为滞后,因报警滞后未能第一时间采取急冷措施,往往造成炉台热场尤其是DS块以下部件全部损毁,甚至有漏穿下炉体,造成爆炸伤人的重大安全事故发生,给生产企业造成大量经济损失。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种能够快速报警的用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板,它包括坩埚垫板本体,所述坩埚垫板本体的表面设置有环形连接的四道第一导流槽,所述坩埚垫板本体上从每道第一导流槽上向外侧开设有多道第二导流槽至坩埚垫板本体外边缘。
所述第一导流槽距离坩埚垫板本体的边缘5~30mm。
所述第一导流槽的宽度为5~10mm,所述第一导流槽的深度为5~10mm。
所述第二导流槽的宽度为3~10mm,所述第二导流槽的深度为5~10mm。
第一导流槽在每个第二导流槽相应处为最低点。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板能够快速报警,从而能够保证安全,减少损失。
附图说明
图1为本实用新型的俯视图。
图2为本实用新型的侧视图。
图3为本实用新型的实施例1示意图。
图4为本实用新型的实施例2示意图。
图5为本实用新型的实施例3示意图。
其中:
第一导流槽1
第二导流槽2
坩埚垫板本体3。
具体实施方式
参见图1~图2,本实用新型涉及的一种用于铸造多晶硅漏硅快速报警的坩埚垫板,它包括坩埚垫板本体3,所述坩埚垫板本体3的表面设置有环形连接的四道第一导流槽1,所述第一导流槽1距离坩埚垫板本体3的边缘5~30mm,所述第一导流槽1的宽度为5~10mm,所述第一导流槽1的深度为5~10mm,所述坩埚垫板本体3上从每道第一导流槽1上向外侧开设有多道第二导流槽2至坩埚垫板本体3外边缘,所述第二导流槽2的宽度为3~10mm,所述第二导流槽2的深度为5~10mm。
第一导流槽1在每个第二导流槽2相应处为最低点,这样就可以保证硅液经第一导流槽1第一时间从第二导流槽2流至距漏硅点最近的溢流孔,进而熔断溢流线触发报警,从而有效解决了硅液在现有坩埚垫板上毫无导流严重滞后报警的问题。
实施例1:
参见图3,坩埚垫板本体厚度H为40mm,第一导流槽1的截面形状为弧形,第一导流槽1外侧距离坩埚垫板本体边缘L=30mm,宽度W=10mm,对应溢流孔处深度h=5mm,对应溢流孔与溢流孔中心位置深度为1mm,第二导流槽2截面形状为弧形,宽度10mm,深度5mm,长度为30mm;
实施例2:
参见图4,坩埚垫板本体厚度H为40mm,第一导流槽1的截面形状为倒梯形,第一导流槽1外侧距离坩埚垫板本体边缘L=20mm,宽度W=8mm,对应溢流孔处深度h=8mm,对应溢流孔与溢流孔中心位置深度为3mm,第二导流槽2截面形状为倒梯形,宽度8mm,深度8mm,长度20mm;
实施例3:
参见图5,坩埚垫板本体厚度H为40mm,导流槽1的截面形状为倒三角形,第一导流槽1外侧距离坩埚垫板本体边缘L=5mm,宽度W=5mm,对应溢流孔处深度h=10mm,对应溢流孔与溢流孔中心位置深度为5mm,第二导流槽2截面形状为倒三角形,宽度5mm,深度10mm,长度7mm。
以下是三个实施例在漏硅发生后漏硅重量及热场经济损失对比:
原垫板损失为近两年来平均损失,实施例损失为实验垫板平均损失。
下表为漏硅经济损失对比
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海润光伏科技股份有限公司,未经海润光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520992342.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:冷却系统和用于冷却飞机设备的方法
- 下一篇:一种VGF晶体炉支撑装置