[实用新型]一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片有效
申请号: | 201520996058.6 | 申请日: | 2015-12-04 |
公开(公告)号: | CN205282477U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 张新宇;雷宇;信钊炜;魏冬;桑红石;王海卫;谢长生 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复眼 高像质 单眼 时序 成像 探测 芯片 | ||
1.一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块,其中,
所述液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜;
所述面阵可见光探测器包括多个阵列分布的子面阵可见光探测器,每个子面阵可见光探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元;
所述面阵电控液晶微透镜与所述面阵可见光探测器匹配耦合,每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应,构成电控复眼成像探测模态下的一个成像单眼;
所述面阵电控液晶微透镜用于将不同方向上的目标光束离散化排布,并定向汇聚在与各单元电控液晶微透镜对应的子面阵可见光探测器的相应光敏元上,将同方向目标光束定向汇聚在多个子面阵可见光探测器相同位置的光敏元上;
所述面阵可见光探测器用于将汇聚在多个子面阵可见光探测器上的光波转换成电信号;
所述驱控预处理模块用于将一个子面阵可见光探测器的各光敏元的电信号归属到一个单眼的成像操作,通过对子面阵可见光探测器的光电信号进行量化和校准处理,得到目标基于观察视角、视距、或姿态的序列子图像数据;
所述液晶微光学结构在断电态下为延迟入射波束的液晶相位板;
所述液晶相位板用于延迟目标光束相位并与面阵可见光探测器匹配耦合,构成高像质单眼成像探测模态下的微光学/光电成像结构;
所述驱控预处理模块用于将面阵可见光探测器的光敏元的电信号归属到一个高像质单眼的成像操作,通过对面阵可见光探测器的光电信号进行量化和校准处理,得到高像质平面图像数据。
2.如权利要求1所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,通过对所述液晶微光学结构进行时序加电或断电操作,完成复眼与高像质单眼成像探测模态间的切换。
3.如权利要求1所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,所述面阵电控液晶微透镜与所述子面阵可见光探测器均为M×N元,其中,M、N均为大于1的整数。
4.如权利要求1所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,所述子面阵可见光探测器为P×Q元,其中,P、Q均为大于1的整数。
5.如权利要求1所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,所述面阵可见光探测器为R×S元,其中,R=M×P,S=N×Q。
6.如权利要求1所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,所述驱控预处理模块还用于为所述面阵可见光探测器、液晶微光学结构提供驱动和调控信号,驱动所述面阵可见光探测器和液晶微光学结构工作,并对所述液晶微光学结构进行功能转换的电信号进行调控。
7.如权利要求1至6中任一项所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,还包括陶瓷外壳;其中,
所述液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块同轴顺序置于陶瓷外壳内,所述面阵可见光探测器位于所述驱控预处理模块的前方,所述液晶微光学结构位于所述面阵可见光探测器的前方且其光入射面通过所述陶瓷外壳的面部开孔裸露在外。
8.如权利要求7中所述的一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片,其特征在于,所述驱控预处理模块上设有第一端口、第五端口和第一指示灯,所述面阵可见光探测器上设有第二端口和第四端口,所述液晶微光学结构上设有第三端口;
所述第一端口用于接入电源线以连接外部电源,还用于接收外部设备向可见光探测器与液晶微光学结构输入的工作指令,还用于输出所述驱控预处理模块提供给所述面阵可见光探测器和液晶微光学结构的驱动和调控信号;
所述第一指示灯用于指示所述驱控预处理模块是否处在正常工作状态;
所述第二端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述面阵可见光探测器的驱控信号;
所述第三端口用于输入所述驱控预处理模块提供给所述液晶微光学结构的驱控信号;
所述第四端口用于输出所述面阵可见光探测器提供给所述驱控预处理模块的光电信号;
所述第五端口用于输入所述面阵可见光探测器提供给所述驱控预处理模块的光电信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的