[实用新型]一种LED外延片有效
| 申请号： | 201520996750.9 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN205194730U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 马学进;吴质朴;何畏;韩广宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市奥伦德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 王琴 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 | ||
1.一种LED外延片，其特征在于：该LED外延 片依次包括一衬底，一缓冲层，一N型半导体层， 一有源发光层，一P型半导体层，所述LED外延片 进一步在所述有源发光层与所述P型半导体层之 间设置有一掺杂浓度变化的漂移阻挡层。
2.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在 于：所述LED外延片进一步在所述漂移阻挡层与 所述有源发光层之间设置有一P型掺杂层。
3.如权利要求1或2所述的LED外延片，其特征 在于：所述漂移阻挡层内包括一非掺杂层。
4.如权利要求3所述的LED外延片，其特征在 于：所述非掺杂层的厚度为2-200纳米。
5.如权利要求3所述的LED外延片，其特征在 于：在所述N型半导体层与有源发光层之间设置有 一另一漂移阻挡层。
6.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在 于：所述漂移阻挡层包括一非掺杂层与一P型掺杂 层，所述非掺杂层设置在P型半导体层与P型掺杂 层之间。
7.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在 于：在所述N型半导体层与有源发光层之间设置有 一非掺杂层。
8.如权利要求7所述的LED外延片，其特征在 于：所述非掺杂层的厚度为2-200纳米。
9.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在 于：漂移阻挡层的厚度在2-200纳米。
10.如权利要求9所述的LED外延片，其特征在 于：所述衬底的厚度为80-500微米，缓冲层厚度 为10-40纳米，N型半导体层厚度为1-10微米，有 源发光层的厚度在20-500纳米，P型半导体层厚度 为20-200纳米。
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