[实用新型]定位装置有效
申请号: | 201520996914.8 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN205335238U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 王鹏飞 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及面板制造领域,尤其涉及一种用于承载并定位玻璃基板的 定位装置。
背景技术
近年来,随着高分辨率智能手机的盛行以及智能手机屏幕平均尺寸的持续 增大,基于低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)技术的面板需 求将持续走高。在上述面板制造过程中,当需要在硬化退回炉设备内对玻璃基 板进行快速热退火(RapidThermalAnnealing,RTA)工艺时,该工艺的主要作 用为使玻璃基板的内部组织达到或接近平衡状态,进而获得良好的工艺性能和 使用性能。在进行RTA工艺过程中,现有技术的一种实现方式为将玻璃基板 放置于由石英材料制成的基板载台上,基板载台则放置于一个传送装置上,玻 璃基板在传送装置的带动下经过硬化退火炉内各个处理区来进行RTA工艺。
然而,在玻璃基板的传送过程中,承接玻璃基板的基板载台可能有加速和 减速的过程,同时由于玻璃基板与基板载台之间的相对摩擦力有可能小于玻璃 基板自身惯性力,这就导致玻璃基板会在基板载台上发生漂移,造成玻璃基板 碎片等异常情况。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述问题,提供一种能够保证玻璃基板在传 送过程中能够被良好定位的定位装置。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种定位装置,其用于承接并定位玻 璃基板,其设有用于收容所述玻璃基板的收容槽。
进一步的,所述收容槽具有圆弧形的底面。
进一步的,所述收容槽的长度大于所述玻璃基板的长度。
进一步的,所述收容槽的宽度大于所述玻璃基板的宽度。
进一步的,所述收容槽的深度由其四周区域向中间区域逐渐变大。
进一步的,所述收容槽的最大深度为2至3毫米。
进一步的,所述收容槽的最大深度位于收容槽的中间区域。
进一步的,所述定位装置位于硬化退火炉内的传送装置上。
与现有技术相比,本实用新型实施例提供定位装置的上表面具有收容槽, 使得收容于收容槽内的玻璃基板不会因为定位装置的加速或减速而使玻璃基 板相对于定位装置发生漂移,因此,玻璃基板能够良好的定位于定位装置上, 避免由于玻璃基板相对定位装置发生漂移而造成玻璃基板破碎等问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型 的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构 成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型优选实施例提供的用于承载并定位玻璃基板的定位装置 的立体视图;
图2为图1所示的定位装置与玻璃基板配合的截面示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新 型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显 然,所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基 于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1及图2所示,本实用新型较佳实施例提供了一种应用于硬化退火炉 (未图示)内的定位装置1,该定位装置1用于定位需要进行快速热退火工艺 的玻璃基板3。需要说明的,硬化退火炉内具有可以传送定位装置1的循环式 传送装置(未图示),传送装置可以对定位装置1及玻璃基板3进行连续传送 处理,即在线式(in-line)处理。具体的,该传送装置可以为一导轨结构。在 本实用新型较佳实施例中,上述定位装置1即为承载玻璃基板3的基板载台。 定位装置1具有一个长度方向及一个宽度方向。
当玻璃基板3需要进行快速热退火工艺时,玻璃基板3可以放置于定位装 置1上,且传送装置的传送方向可以为定位装置1的宽度方向或长度方向一致。 在传送装置的带动下,玻璃基板3随定位装置1一同进入硬化退火炉内进行传 送且同时加热,当完成快速热退火后,玻璃基板3连同定位装置1被传送出硬 化退货炉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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