[实用新型]LED芯片封装结构有效
| 申请号： | 201520997938.5 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN205376566U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李庆 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片封装结构，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层及N电极和P电极，其特征在于，所述LED芯片上预设有用于进行MESA光刻的MESA线，所述P型半导体层、发光层及部分N型半导体层沿MESA线刻蚀形成有N台阶，所述N台阶上设有支撑平台，所述N电极包裹所述支撑平台并与N型半导体层电性连接，所述N电极的上边缘与MESA线之间的距离大于N电极的下边缘与MESA线之间的距离，所述N电极上通过焊球与焊接线电性连接。
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极的下边缘边缘与MESA线之间的距离为5~15μm，N电极的上边缘与MESA线之间的距离为10~30μm。
3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极在支撑平台侧边的厚度为0.5~3μm，所述N电极在支撑平台上方的厚度为0.5~3μm。
4.根据权利要求3所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述N电极在支撑平台上方的厚度与N电极在支撑平台侧边的厚度相等。
5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述焊球的面积小于N电极上表面的面积。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述支撑平台为与N型半导体层绝缘连接或电性导通连接。
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