[实用新型]一种BGA植球装置有效
申请号: | 201521002196.4 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN205184131U | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 李卓 | 申请(专利权)人: | 深圳创维数字技术有限公司 |
主分类号: | B23K37/04 | 分类号: | B23K37/04 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bga 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及PCBA领域,尤其涉及一种BGA植球装置。
背景技术
目前,在制造电子产品的行业内,PCBA生产过程中,BGA主芯片在SMT焊接过程中容易出现空焊、连焊不良;针对制程中出现的不良问题,需要对其进行维修,重装BGA主芯片。而在重装BGA主芯片过程中,需要对拆下来的BGA主芯片进行脱锡后重新植球,植球完成后才能进行重装。
在现有技术中,一般是采用手工植球的方法,需要靠人工对BGA主芯片前、后、左、右等方位不断进行调试,来对应BGA钢片开孔,即BGA主芯片上的焊盘与BGA钢片上的开孔难以对应,导致植球效较低。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种BGA植球装置,旨在解决现有的BGA主芯片在植球过程中难以定位的问题。
本实用新型的技术方案如下:
一种BGA植球装置,其中,包括一底座、设置在所述底座上的支撑杆、在所述支撑杆上可上下移动的固定模块、用于放置在所述固定模块上的植球钢片以及分别设置在植球钢片上下两端的钢片上盖和钢片下盖,在所述植球钢片上设置有用于放置BGA主芯片的凹槽。
所述的BGA植球装置,其中,所述钢片上盖和钢片下盖均与所述植球钢片通过螺丝固定。
所述的BGA植球装置,其中,所述固定模块上端设置有用于保护BGA主芯片的缓冲件。
所述的BGA植球装置,其中,所述缓冲件为海绵垫。
所述的BGA植球装置,其中,所述固定模块下部的支撑杆上套设有用于使固定模块在下压后复位的弹簧。
所述的BGA植球装置,其中,所述固定模块的侧边设置有手柄。
所述的BGA植球装置,其中,所述手柄设置有2个,并对称固定模块的两侧。
所述的BGA植球装置,其中,所述支撑杆设置有4根,并分别设置在底座的四个角上。
所述的BGA植球装置,其中,所述凹槽的深度为1.2mm。
所述的BGA植球装置,其中,所述钢片上盖和钢片下盖为中空结构。
有益效果:本实用新型通过一个专门用来放置BGA主芯片的凹槽来对BGA主芯片进行定位,方便作业员操作定位,从而提高植球的作业效率,并且定位精准,植球后锡球移位不良率降低。
附图说明
图1为本实用新型一种BGA植球装置的第一视角结构示意图;
图2为本实用新型一种BGA植球装置的第二视角结构示意图;
图3为本实用新型一种BGA植球装置的第三视角结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种BGA植球装置,为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1,图1为本实用新型一种BGA植球装置较佳实施例的第一视角结构示意图,如图所示,其包括一底座10、设置在所述底座10上的支撑杆11、在所述支撑杆11上可上下移动的固定模块13、用于放置在所述固定模块13上的植球钢片15以及分别设置在植球钢片15上下两端的钢片上盖16和钢片下盖14,在所述植球钢片15上设置有用于放置BGA主芯片的凹槽151(结合图2所示)。
本实用新型中,由于采用一个适配于所述BGA主芯片的凹槽151,来对BGA主芯片进行定位,所以其作业效率更高,且定位精准,降低了定位复杂性。其具体操作过程是:先将BGA主芯片放置在植球钢片15的凹槽151内,然后将包括固定模块13、支撑杆11及底座10的植球工装反向压住BGA主芯片,再将整个BGA植球装置翻转过来进行植球即可。
所述钢片上盖16和钢片下盖14为中空结构,具体地,所述钢片上盖16和钢片下盖14可以设计为正方形。其中植球钢片15设置在钢片上盖16和钢片下盖14之间,即通过钢片上盖16和钢片下盖14来固定植球钢片15;所述钢片上盖16和钢片下盖14均与所述植球钢片15通过螺丝固定。具体地,如图2所示,在植球钢片15上开设有同钢片上盖16和钢片下盖14相对称的螺丝固定孔152,通过安装螺丝来使植球钢片15固定于钢片上盖16和钢片下盖14之间。
所述固定模块13上端设置有用于保护BGA主芯片的缓冲件(未示出),利用该缓冲件可防止BGA主芯片受到损坏,以提高产品良率,所述的缓冲件优选为海绵垫,可提高缓冲效果。
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