[实用新型]一种矿用脑电波头盔控制电路有效
申请号: | 201521015187.9 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN205233583U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 汪梅;吕元杰;程松;贺开明;赵海强;渠武兵;朱亮;徐长丰 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | A42B3/04 | 分类号: | A42B3/04;A42B3/30;G05B19/042 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用脑 电波 头盔 控制电路 | ||
1.一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:包括微控制器(6)和与所述微控制器(6)相接并与多个布设在井下的服务器(13)分别进行无线数据传输的无线通信模块(12),所述微控制器(6)的输入端接有心电采集模块(5)、电平转换电路(11)、对井下佩戴头盔的使用者的脑电波信号进行采集及预处理的脑电信号获取模块(4)以及用于采集井下环境参数的温湿度传感器(7)和甲烷传感器(8),所述微控制器(6)的输出端接有布设在头盔前端外侧的LED照明灯(9)和扬声器(10);所述脑电信号获取模块(4)的输入端接有布设在头盔前部内侧面上且对使用者额叶区的电位进行实时采样的第一脑电电极(1)以及对使用者的耳部电位进行实时采样的第二脑电电极(2)和第三脑电电极(3);所述温湿度传感器(7)包括分别布设在头盔两侧的外侧面上且均与微控制器(6)相接的第一温湿度传感器和第二温湿度传感器,所述甲烷传感器(8)包括分别布设在头盔两侧的外侧面上且均与微控制器(6)相接的第一甲烷传感器和第二甲烷传感器;所述心电采集模块(5)包括PulseSensor传感器和与所述PulseSensor传感器的信号输出端相接的信号放大电路,所述信号放大电路包括运放LM324,所述运放LM324的同相输入端经电阻R10与PulseSensor传感器的信号输出端相接,运放LM324的反相输入端经电阻R11接地,运放LM324的输出端分两路,一路经电阻R8与电阻R10和PulseSensor传感器的信号输出端的连接端相接,另一路与微控制器(6)相接。
2.按照权利要求1所述的一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:所述电平转换电路(11)包括芯片LM1117-3.3V,所述芯片LM1117-3.3V的IN管脚与5V电源相接,芯片LM1117-3.3V的GND管脚接地,芯片LM1117-3.3V的OUT管脚为3.3V电源输出端。
3.按照权利要求2所述的一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:所述第一甲烷传感器包括型号为MQ-2的传感器U1,所述传感器U1的第1管脚、第2管脚和第3管脚均与5V电源相接,传感器U1的第5管脚经电阻R3接地,传感器U1的第4管脚和第6管脚的连接端分两路,一路与微控制器(6)相接,另一路经电阻R4接地;第二甲烷传感器包括型号为MQ-2的传感器U2,所述传感器U2的第1管脚、第2管脚和第3管脚均与5V电源相接,传感器U2的第5管脚经电阻R5接地,传感器U2的第4管脚和第6管脚的连接端分两路,一路与微控制器(6)相接,另一路经电阻R6接地。
4.按照权利要求2所述的一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:所述第一温湿度传感器包括型号SHT11的传感器U3,所述传感器U3的VCC管脚与5V电源相接,传感器U3的DATA管脚与微控制器(6)相接;第二温湿度传感器包括型号SHT11的传感器U4,所述传感器U4的VCC管脚与5V电源相接,传感器U4的DATA管脚与微控制器(6)相接,传感器U4的SCK管脚分两路,一路与传感器U3的SCK管脚相接,另一路与微控制器(6)相接。
5.按照权利要求2所述的一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:所述脑电信号获取模块(4)为美国NeuroSky公司研发的TGAM芯片;所述TGAM芯片的EEG管脚和EEG_shiled管脚的连接端与第一脑电电极(1)相接,TGAM芯片的REF管脚和REF_shiled管脚的连接端与第二脑电电极(2)相接,TGAM芯片的EEG_GND管脚与第三脑电电极(3)相接,TGAM芯片的VCC管脚与5V电源相接,TGAM芯片的RXD管脚和TXD管脚均与微控制器(6)相接。
6.按照权利要求2所述的一种矿用脑电波头盔控制电路,其特征在于:所述LED照明灯(9)包括同向并联连接的发光二极管D1、发光二极管D2、发光二极管D3和发光二极管D4,所述同向并联连接的发光二极管D1、发光二极管D2、发光二极管D3和发光二极管D4的阳极与5V电源相接,同向并联连接的发光二极管D1、发光二极管D2、发光二极管D3和发光二极管D4的阴极经电阻R1与三极管Q1的发射极相接,三极管Q1的集电极接地,三极管Q1的基极经电阻R2与微控制器(6)相接。
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