[实用新型]智能老化负载

权利要求书

1.智能老化负载，包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制 模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转 并信号模块、显示模块和按键模块，所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连 接到被老化电源的输出端与地之间，其特征在于：

所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号，并输出电流采 样信号到MCU；

所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号，并输出电压采 样信号到电压选择模块；

所述的电压选择模块接收MCU的控制信号，选择相应的电压采样信号，并 输出到CV控制模块和MCU；

所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号，产生PWM控制信号控 制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块；

所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号，经运放后输出到模 式转换开关模块；在模式转换开关模块切换到恒流模式时，驱动主功率MOSFET；

所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号，经运放后输出到模 式转换开关模块；在模式转换开关模块切换到恒压模式时，驱动主功率MOSFET；

所述的模式转换开关根据MCU的控制信号，选择导通CC控制模块和CV 控制模块的输出信号，通过动态调整PWM的占空比来调节所述的主功率 MOSFET的栅极信号实现被老化电源的老化测试；

所述的串转并信号模块接收MCU输出的串行信号并转化为并行输出到显示 模块。

2.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于所述的MCU产生的PWM 控制信号经滤波电路输出到所述的CC控制模块和CV控制模块。

3.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于还设有指示灯模块和/ 或蜂鸣报警模块，在老化指标超过预设值的时候实现报警功能。

4.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于还设有风扇散热模块， 在温度超过设定值的时候开启风扇进行散热。

5.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于还设有用于给各模块电 路供电的电源模块。

6.如权利要求5所述的智能老化负载，其特征在于所述的电源模块包括可 控精密稳压电路、DC/DC变换器和三端稳压电路。

7.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于还设有通讯模块，用于 连接PC或者智能老化负载自身。

8.如权利要求1所述的智能老化负载，其特征在于所述的电流采样模块采 集的电流信号通过运放后输入到MCU，该运放电路上还设有电流自动校正模块。