[实用新型]一种自毁电路和保密设备

权利要求书

1.一种自毁电路，其特征在于，包括：

自毁电源、光敏电阻、升压开关模块以及升压模块；

其中，所述光敏电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述升压开关模块的控制端电性连接，用于根据所述光敏电阻的阻值变化控制所述升压开关模块的导通与关断；所述升压开关模块的输入端与所述自毁电源的输出端电性连接，所述升压开关模块的输出端与所述升压模块的输入端电性连接，用于控制所述升压模块的开启与关闭。

2.根据权利要求1所述的自毁电路，其特征在于，所述升压开关模块包括：

一三极管和一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS；

其中，所述三极管的基极为所述升压开关模块的控制端，集电极分别与所述自毁电源的输出端以及所述PMOS的栅极电性连接，发射极接地；所述PMOS的源极为所述升压开关模块的输入端，漏极为所述升压开关模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：

直流电源插座，所述直流电源插座包括正极引脚、负极动态引脚以及负极静态引脚，其中，所述负极动态引脚第一端与所述三极管的发射极电性连接，第二端与所述负极静态引脚电性连接；所述直流电源插座用于在插头插入时，断开所述负极动态引脚第二端与所述负极静态引脚的电性连接，将所述三极管的发射极悬空。

4.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：第一上拉电阻，所述第一上拉电阻的第一端与所述自毁电源的输出端电性连接，第二端与所述PMOS的栅极电性连接。

5.根据权利要求2所述的自毁电路，其特征在于，还包括：第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的第一端与所述三极管的基极电性连接，第二端接地。

6.根据权利要求1所述的自毁电路，其特征在于，所述升压开关模块包括：

一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS以及第二下拉电阻，所述NMOS的栅极分别与所述光敏电阻的第二端以及第二下拉电阻的第一端电性连接，漏极为所述升压开关模块的输入端，源极为所述升压开关模块的输出端；所述第二下拉电阻的第二端接地。

7.根据权利要求1-6中任一所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括至少一个第一滤波电容，所述第一滤波电容的第一端与所述升压开关模块的输出端电性连接，第二端接地。

8.根据权利要求1-6中任一所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块的输出端与保密装置的输入端电性连接，所述升压模块用于在开启时将所述保密装置烧毁。

9.根据权利要求8所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块包括：

升压芯片、第一反馈电阻、第二反馈电阻、第二上拉电阻，以及储能电感；

所述升压芯片的输入端与所述升压开关模块的输出端电性连接，控制端与第二上拉电阻的第一端电性连接，反馈端分别与所述第一反馈电阻的第一端以及第二反馈电阻的第一端电性连接，输出端与所述保密装置的输入端电性连接；

所述第一反馈电阻的第二端与所述保密装置的输入端电性连接；

所述第二反馈电阻的第二端接地；

所述第二上拉电阻的第二端与所述升压开关模块的输出端电性连接；

所述储能电感的第一端与所述升压芯片的输入端电性连接，第二端与所述升压芯片的输出端电性连接。

10.根据权利要求8所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括至少一个第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端与所述保密装置的输入端电性连接，第二端接地。

11.根据权利要求9所述的自毁电路，其特征在于，所述升压模块还包括续流二极管，所述续流二极管的阳极与所述升压芯片的输出端电性连接，阴极与所述保密装置的输入端电性连接。

12.一种保密设备，其特征在于，包括：权利要求1-11中任一所述的自毁电路，以及保密装置；

其中，所述自毁电路的所述升压模块的输出端与所述保密装置的输入端电性连接，所述升压模块用于在开启时将所述保密装置烧毁。

13.根据权利要求12所述的保密设备，其特征在于，所述保密装置为存储装置。