[实用新型]一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器有效
| 申请号： | 201521020237.2 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN205140709U | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 何兴伟;方允樟;李文忠;马云;金林枫 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/30;H01F27/24 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 321004 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底层 埋入 式微 三维 薄膜 电感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器，包括衬底、导线底层、导 线顶层和包裹有绝缘层的磁性层，所述导线顶层位于所述导线底层上，所述 磁性层位于所述导线顶层和所述所述导线底层之间，其特征在于：所述导线 底层埋入衬底内，所述导线底层的上表面与衬底平面持平。
2.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征 在于，所述导线底层和导线顶层均为Cr膜、Cu膜和Cr膜叠加组成的。
3.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征 在于，所述磁性层为Cr膜、Cu膜、FeCuNbSiB膜、Cu膜和Cr膜叠加组成的。
4.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征 在于，所述磁性层由绝缘底层和绝缘顶层包裹，所述绝缘底层和绝缘顶层被 导线底层和导线顶层通过触点对接缠绕包裹。
5.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征 在于，所述导线底层和导线顶层为薄膜斜纹层。
6.根据权利要求1至5任一项所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感 器，其特征在于：所述磁性层是环型跑道形状。
7.根据权利要求1至5任一项所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感 器，其特征在于：所述磁性层的厚度为2到10μm。
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