[实用新型]一种加密防拆设备及其光检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及光晶体管领域，尤其涉及一种加密防拆设备及其光检测电 路。

背景技术

光晶体管是由双极性晶体管或者场效应晶体管等三端器件构成的光电器 件。光在这类器件的有源区被吸收，就产生了光生载流子，通过内部的电放大 单元，从而产生了光电流增益，也就是光照强度可以控制光晶体管通过的电流。 但是光晶体管的灵敏度易受温度影响，稳定性较差。对于一般使用光晶体管设 计的光检测电路，会有随温度变化而稳定性也发生变化的缺点，特别是在极限 温度情况下，容易出现检测错误等的严重问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述稳定性差的缺 陷，提供一种稳定性好的加密防拆设备及其光检测电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种光检测电路， 包括光晶体管，还包括：

分压电阻；

串联在分压电阻与光晶体管之间且用于对光晶体管在温度变化时的内阻 进行补偿的热敏电阻；

用于对内阻得到补偿后的光晶体管的电压进行采样的采样单元；

连接于所述采样单元，且用于判断采样电压是否达到预设值，并在达到预 设值时进行相应触发的控制单元。

进一步地，所述热敏电阻为负温度系数的热敏电阻，而且，所述分压电阻 的第一端连接高电平，所述分压电阻的第二端连接所述负温度系数的热敏电阻 的第一端，所述负温度系数的热敏电阻的第二端连接所述光晶体管的集电极， 所述光晶体管的发射极接地，所述光晶体管的集电极为所述光晶体管的电压采 样端。

进一步地，所述热敏电阻为正温度系数的热敏电阻，而且，所述分压电阻 的第一端连接高电平，所述分压电阻的第二端连接所述正温度系数的热敏电阻 的第一端，所述正温度系数的热敏电阻的第二端连接所述光晶体管的集电极， 所述光晶体管的发射极接地，所述正温度系数的热敏电阻的第一端为所述光晶 体管的电压采样端。

进一步地，所述采样单元包括三极管和下拉电阻，其中，所述三极管的基 极连接所述电压采样端，所述三极管的发射极连接高电平，所述三极管的集电 极通过所述下拉电阻接地，而且，所述三极管的集电极连接所述控制单元的检 测端。

进一步地，还包括连接在所述高电平和所述三极管的发射极之间的第一电 阻。

进一步地，还包括连接在所述电压采样端和所述三极管(Q1)的基极之 间的第二电阻。

本实用新型还构造一种加密防拆设备，包括壳体及设置在所述壳体内的光 检测电路，所述光检测电路为以上所述的光检测电路。

进一步地，所述控制单元为当检测到采样电压达到预设值时进行自毁触发 的加密IC。

实施本实用新型的技术方案，由于热敏电阻可对光晶体管在温度变化时的 内阻进行补偿，所以，即使光晶体管在温度过高或过低的环境下也能保持和常 温下相近的内阻值，解决了光晶体管在高低温工作时存在检测误差的问题，工 作稳定性好，因此该光检测电路的温度范围较宽，可适用于恶劣的工作环境。 而且，该光检测电路的结构简单，对电路的功耗要求低，占用PCB的空间小。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型光检测电路实施例一的逻辑图；

图2是本实用新型光检测电路实施例二的电路图；

图3是本实用新型光检测电路实施例三的电路图；

图4是本实用新型光检测电路实施例四的电路图。

具体实施方式

图1是本实用新型光检测电路实施例一的逻辑图，该实施例的光检测电路 包括分压电阻R1、热敏电阻TC、光晶体管Q2、采样单元10和控制单元20， 其中，分压电阻R1、热敏电阻TC、光晶体管Q2依次串联，而且，热敏电阻 TC用于对光晶体管Q2在温度变化时的内阻进行补偿，从而使光晶体管Q2即 使在温度变化时也能保持和常温下相近的内阻值。采样单元10用于对内阻得 到补偿后的光晶体管(Q2)的电压进行采样。控制单元20连接于采样单元10， 且用于判断采样电压是否达到预设值，并在达到预设值时进行相应触发。