[实用新型]一种具有高发光效率的发光二极管

权利要求书

1.一种具有高发光效率的发光二极管，包括衬底，在衬底上依次设置缓冲层、非故意掺杂层、n型导电层、有源区、电子阻挡层、p型导电层、p型欧姆接触层和ITO透明导电层，在n型导电层上连接n电极，在n电极侧面和外延层侧面设置电极隔离层，在p型导电层上连接p电极，在芯片表面设置芯片保护层；其特征在于在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极设置区域的衬底上的PSS表面图形较其它区域大，且随着远离p电极设置区域，PSS表面图形呈现渐变减小的规律；在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。

2.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述位错线密集区的面积不超过p电极面积的80%。

3.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于：所述位错阻挡层上表面与p型欧姆接触层齐平。

4.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于：在ITO透明导电层上的p电极区域不超过p电极总面积的10%。