[实用新型]一种复用的与门或门选择电路有效

专利信息
申请号: 201521032294.2 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN205320059U 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 胡银肖;曾庆;李玮 申请(专利权)人: 武汉芯昌科技有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱小兵
地址: 430000 湖北省武汉市东湖开*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 与门 选择 电路
【权利要求书】:

1.一种复用的与门或门选择电路,其特征在于,包括选择端电路、MOS管复用的与门或门电路,其中,

所述选择端电路为反相器,其输入端为选择输入端口,输出端为选择输出端口;

所述MOS管复用的与门或门电路包括第一MOS管复用的与门或门电路、第二MOS管复用的与门或门电路,其中,

所述第一MOS管复用的与门或门电路包括第一至第六PMOS晶体管,第一PMOS晶体管和第五PMOS晶体管的栅极分别连接第一输入端口,第四PMOS晶体管的栅极连接第二输入端口;第一PMOS晶体管的漏极连接VCC,源极连接第二PMOS晶体管的漏极;第二PMOS晶体管的栅极连接选择输出端口,源极连接第一输出端口;第四PMOS晶体管的漏极连接VCC,源极分别连接第三PMOS晶体管的漏极、第五PMOS晶体管的漏极;第三PMOS晶体管的栅极连接选择输出端口,源极连接第一输出端口;第五PMOS晶体管的源极连接第一输出端口;第六PMOS晶体管的栅极连接第一输出端口,漏极连接VCC,源极连接第二输出端口;

所述第二MOS管复用的与门或门电路包括第一至第六NMOS晶体管,第一NMOS晶体管和第五NMOS晶体管的栅极分别连接第一输入端口,第四NMOS晶体管的栅极连接第二输入端口;第一NMOS晶体管的漏极连接第二NMOS晶体管的源极,源极接地;第二NMOS晶体管的栅极连接选择输出端口,漏极连接第一输出端口;第四NMOS晶体管的漏极分别连接第三NMOS晶体管的源极、第五NMOS晶体管的源极,源极接地;第三NMOS晶体管栅极连接选择输出端口,漏极连接第一输出端口;第五NMOS晶体管的漏极连接第一输出端口;第六NMOS晶体管的栅极连接第一输出端口,漏极连接第二输出端口,源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种复用的与门或门选择电路,其特征在于,所述选择端电路包括第一选择端电路、第二选择端电路,其中,第一选择端电路包括第七PMOS晶体管,第七PMOS晶体管的栅极连接选择输入端口,漏极连接VCC,源极连接选择输出端口;第二选择端电路包括第七NMOS晶体管,第七NMOS晶体管的栅极连接选择输入端口,漏极连接选择输出端口,源极接地。

3.根据权利要求2所述的一种复用的与门或门选择电路,其特征在于,所述第一选择端电路、第二选择端电路为镜像结构。

4.根据权利要求1所述的一种复用的与门或门选择电路,其特征在于,所述第一MOS管复用的与门或门电路、第二MOS管复用的与门或门电路为镜像结构。

5.根据权利要求1所述的一种复用的与门或门选择电路,其特征在于,所述NMOS晶体管的型号为FNK2302A。

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