[实用新型]新型太阳能电池背电极有效
申请号: | 201521039654.1 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN205282484U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 韩伟智;王鸳君;刘春丽;张红伟;胡香玲;郭天华 | 申请(专利权)人: | 杭州力云科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙江省杭州市滨江区江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 太阳能电池 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池的背电极结构,属于太阳能光伏技术领域。
背景技术
随着煤炭和石油等传统能源的长期大量的使用,这些传统能源面临着日益枯竭的危机,同时也给全球的环境带来了严重的污染。近年来,人们越来越强烈地认识到寻找清洁的、可再生的新型能源的重要性。太阳能光伏发电正是具有这一特点的新能源,光伏组件可以直接将光转换为电能,其技术的发展与进步给世界的能源需求带来了革命性的变化。
目前,晶硅太阳能电池在光伏发电领域占据主动地位。采用晶体硅片制造成电池,然后将电池用焊带连接起来,并封装成组件。光伏组件要具有较高的光电转换效率、良好的可靠性和耐候性。现有技术中,晶硅太阳能电池的背面结构(参照附图1)主要包括背电极10、背电场20和设置在背电极10周边的应力释放部30,背电极和背电场依序通过丝网印刷在太阳能电池背面,背电场与背电极的边缘连接,背电极用做焊带的焊接位,实现电流收集以及电池片之间的电连接。应力释放部是为了解决背电场、背电极和硅衬底三者之间,因为材料不同造成应力,引发电池片焊接时产生的应力造成碎片的问题而设置,所以应力释放部大多整齐地设置在背电极的上下左右四周,并与背电场搭接。
但是,焊带与焊接位之间的焊接除了要求达到对电流有着良好的收集之外,还要求必须具有优异的可靠性,在户外环境下使用20年以上能够持续保持良好的焊接。因此要求焊带与焊接位之间有较大焊接拉力、具有良好的可靠性和耐候性。而上述结构的背电极与焊带之间的焊接拉力一般都小于5N,长期工作在户外环境下有很高的失效风险。因此,如何优化背面电极结构设计,提高焊接拉力从而增强组件可靠性,是太阳能光伏领域急需解决的技术难题之一。
实用新型内容
本实用新型的目的是设计一种提高焊接拉力、优化结构、增强组件可靠性的新型太阳能电池背电极。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种新型太阳能电池背电极,其包括条状本体和若干个设于本体周边的应力释放部;本体上均设置有多个均布排列的镂空,相邻镂空之间的间距为0.5mm~5mm。
优选的,镂空均布排设在本体的全部区域或局部区域。
优选的,镂空形状为圆形,且镂空直径为0.1mm~2mm。
优选的,所述镂空直径为1mm~2mm,且镂空内设有一条连接筋。
优选的,所述镂空直径为1mm~2mm,镂空内设有多条连接筋,且多条连接筋呈平行或交叉分布。
优选的,镂空呈错位形式排布在本体的全部区域或者局部区域。
优选的,镂空形状为椭圆形、矩形、三角形、多边形或不规则形状。
与现有技术相比本实用新型的有益效果是:一是在背电极上设置均布排列的镂空,优化了太阳能电池背电极的整体结构,同时也有效降低了浆料的使用量,降低太阳能电池的制造成本,提高经济效益;二是在后序焊接时,焊带上的锡渗透到背电极上的这些镂空内,冷却后的锡便形成嵌入背电极内的结构,这样大大增强了焊带与背电极之间的焊接拉力,极大地增强了太阳能电池组件长期使用的可靠性和使用寿命;三是在直径大于1mm的镂空内设置一条或多条连接筋,把镂空区分割成若干小区域,增加嵌入的锡与背电极之间的焊接拉力,同时也有助于分散镂空内的应力,减少焊接时的碎片率,提高太阳能电池组件制造的合格率,极大地降低废品率;四是本实用新型方案可以与现有的技术和设备相兼容,无需增加额外的成本,适合于大规模的工业化生产,且效果明显,具有非常显著的实用价值。
附图说明
图1是现有技术中太阳能电池的背面结构示意图;
图2是本实用新型的新型太阳能电池背电极的结构示意图;
图3是印有图2所示结构背电极的太阳能电池背面结构示意图;
图4是本实用新型第二种实施例的背电极结构示意图;
图5是本实用新型第三种实施例的背电极结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的技术方案更加清晰,以下结合附图2-4,对本实用新型进行详细说明。应当理解的是,本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本实用新型,并不是为了限定本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的