[实用新型]带缓冲的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201521044276.6 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN205231073U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 洪旭峰;王锰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓冲 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带缓冲的肖特基二极管，其组成包括：衬底，其特征是：所述的衬底上方设置有过度外延层，所述的过度外延层上方设置有外延层，所述的外延层的上方设置有缓冲层，所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层，所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极以及B金属阳极，所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层，所述的衬底下方设置有阴极。
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