[实用新型]一种低温自动加热保护电路

说明书

技术领域

本实用新型属于加热技术领域，尤其是涉及一种低温自动加热保护电路。

背景技术

在现有的技术中现有的恒温加热电路中热敏电阻是直接连接在加热主回路上，当温 度逐渐升高，电阻也随着增大，会限制加热电流，小电流时加热元件将会受到的影响， 使功率低，加热的功率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服现有技术不足，提供一种低温自动加热保护电路，它 避免将热敏电阻直接接在加热主回路上，在小电流时加热元件受到的影响小。

本实用新型的技术方案是：一种低温自动加热保护电路，包括电压比较器N1、驱动 器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1的第1引脚与所述驱动器 N2的第2引脚连接，所述电压比较器N1的第2引脚分别通过电阻R12连接电源VCC和通 过电阻R8接地，所述电压比较器N1的第3引脚分别通过电阻R1连接电源VCC和通过电 阻R2接地，所述电压比较器N1的第4引脚接地，所述电压比较器N1的第5引脚分别通 过电阻R5连接电源VCC和通过电阻R6接地，所述电压比较器N1的第6引脚分别通过电 阻R13连接电源VCC和通过电阻R4接地，所述电压比较器N1的第7引脚与驱动器N2的 第1引脚连接，所述电压比较器N1的第8引脚连接电源；

所述驱动器N2的第1引脚通过电阻R7连接电源VCC，驱动器N2的第2引脚通过电 阻R8连接电源VCC，驱动器N2的第3引脚接地，所述驱动器N2的第4引脚分别通过电 阻R9接地和通过电阻R11连接三极管Q1的基极，所述驱动器N2的第5引脚连接电源VCC；

所述三极管Q1的集电极通过电阻R10连接电源，所述三极管Q1的发射极分别与加 热管J1的负极和地连接；

所述MOS管V1的栅极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管V1的源极连接电源VCC， 所述MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极。

进一步，所述电压比较器N1采用芯片为LM2903。

进一步，所述MOS管V1为P沟道MOS管。

进一步，所述驱动器N2采用芯片为SN74LVC1G126。

进一步，所述电阻R12和电阻R13为热敏电阻。

进一步，所述三极管Q1为NPN三极管。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，由于采用了上述技 术方案，本发明避免了将热敏电阻直接接在加热主回路上，加热功率大，在小电流时加 热元件受到的影响小。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做详细说明。

如图1本实用新型的结构示意图所示，本实用新型提供一种低温自动加热保护电路， 包括电压比较器N1、驱动器N2、三极管Q1、MOS管V1和加热管J1，所述电压比较器N1 的第1引脚与所述驱动器N2的第2引脚连接，所述电压比较器N1的第2引脚分别通过 电阻R12连接电源VCC和通过电阻R8接地，所述电压比较器N1的第3引脚分别通过电 阻R1连接电源VCC和通过电阻R2接地，所述电压比较器N1的第4引脚接地，所述电压 比较器N1的第5引脚分别通过电阻R5连接电源VCC和通过电阻R6接地，所述电压比较 器N1的第6引脚分别通过电阻R13连接电源VCC和通过电阻R4接地，所述电压比较器 N1的第7引脚与驱动器N2的第1引脚连接，所述电压比较器N1的第8引脚连接电源；

所述驱动器N2的第1引脚通过电阻R7连接电源VCC，驱动器N2的第2引脚通过电 阻R8连接电源VCC，驱动器N2的第3引脚接地，所述驱动器N2的第4引脚分别通过电 阻R9接地和通过电阻R11连接三极管Q1的基极，所述驱动器N2的第5引脚连接电源VCC；

所述三极管Q1的集电极通过电阻R10连接电源，所述三极管Q1的发射极分别与加 热管J1的负极和地连接；

所述MOS管V1的栅极连接三极管Q1的集电极，所述MOS管V1的源极连接电源VCC， 所述MOS管V1的漏极连接加热管J1的正极。

所述电压比较器N1采用芯片为LM2903。所述MOS管V1为P沟道MOS管。所述驱动 器N2采用芯片为SN74LVC1G126。所述电阻R12和电阻R13为热敏电阻。所述三极管Q1 为NPN三极管。