[实用新型]GaN器件

权利要求书

1.一种GaN器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上由下至 上依次形成的AlN成核层、P型轻掺杂Al_XGa_1-XN渐变层、N型GaN外延 层和器件结构层，所述P型轻掺杂Al_XGa_1-XN渐变层与所述N型GaN外延 层形成PN结耗尽区。

2.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述PN结耗尽 区完全耗尽。

3.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述N型GaN 外延层为N型轻掺杂GaN外延层或N型非故意掺杂GaN外延层。

4.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述P型轻掺 杂Al_XGa_1-XN渐变层中X的范围为0-1，并且X的值随着P型轻掺杂Al_XGa_1-XN 渐变层厚度的增加从1逐渐减小为0。

5.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述器件结构 层为HEMT结构层、HBT结构层、MOSFET结构层或MESFET结构层。

6.根据权利要求5所述的GaN器件，其特征在于，所述HEMT结构 层包括GaN沟道层和形成在所述GaN沟道层上的AlGaN肖特基势垒层， 所述AlGaN肖特基势垒层上形成有栅极、源极和漏极，所述GaN沟道层 和所述AlGaN肖特基势垒层之间形成有二维电子气。

7.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述衬底的厚 度为50-1000μm。

8.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述AlN成核 层的厚度为10-1000nm。

9.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述P型轻掺 杂Al_XGa_1-XN渐变层的厚度为20-500nm。

10.根据权利要求1所述的GaN器件，其特征在于，所述N型GaN 外延层的厚度为20-500nm。