[实用新型]一种用于测量单晶硅球密度差值的压力悬浮装置有效
申请号: | 201521052218.8 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN205246479U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 李之昊;王金涛;陈超云;刘子勇;张培满;刘翔;佟林;暴雪松 | 申请(专利权)人: | 中国计量科学研究院 |
主分类号: | G01N9/10 | 分类号: | G01N9/10 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民 |
地址: | 100013 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 测量 单晶硅 密度 差值 压力 悬浮 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及固体材料密度测量领域,具体涉及一种用于测量单晶硅球 密度差值的压力悬浮装置。
背景技术
单晶硅球具有高纯度和密度稳定的特性,因而被作为固体和液体密度的测 量基准,同时也是计算阿伏伽德罗常数的重要基础之一。目前常采用压浮法对 不同单晶硅球的密度差值进行测量。
基于压浮法的不同单晶硅球的密度差值测量是指在一定的温度下,通过调 节压力,并利用液体的压缩系数控制液体密度,分别使基准单晶硅球和待测单 晶硅球在液体中悬浮,然后根据悬浮状态时液体的温度、压力和单晶硅球的悬 浮高度得到基准单晶硅球与待测单晶硅球的密度差值。
图1是利用基于压浮法的不同单晶硅球的密度差值测量系统原理图。该系 统主要包括压力悬浮装置101、位移测量装置102、压力测量控制装置103、温 度测量控制装置104和处理单元105。基准单晶硅球S1和待测单晶硅球S2置于 装有工作液体的压力悬浮装置101中,其中工作液体的密度接近于单晶硅球的 密度。通过调节压力测量控制装置103和温度测量控制装置104,使基准单晶硅 球S1和待测单晶硅球S2分别在液体中处于稳定悬浮状态。由基准单晶硅球S1的 密度、液体及单晶硅球的温度膨胀系数和液体及单晶硅球的压缩系数,得到基 准单晶硅球S1与被测单晶硅球S2的密度差值Δρ,即
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量科学研究院,未经中国计量科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521052218.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种花粉悬浮测速装置
- 下一篇:一种防火涂料试验装置