[实用新型]一种用于测量单晶硅球密度差值的压力悬浮装置有效

专利信息
申请号: 201521052218.8 申请日: 2015-12-16
公开(公告)号: CN205246479U 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 李之昊;王金涛;陈超云;刘子勇;张培满;刘翔;佟林;暴雪松 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: G01N9/10 分类号: G01N9/10
代理公司: 北京思创毕升专利事务所 11218 代理人: 孙向民
地址: 100013 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 测量 单晶硅 密度 差值 压力 悬浮 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及固体材料密度测量领域,具体涉及一种用于测量单晶硅球 密度差值的压力悬浮装置。

背景技术

单晶硅球具有高纯度和密度稳定的特性,因而被作为固体和液体密度的测 量基准,同时也是计算阿伏伽德罗常数的重要基础之一。目前常采用压浮法对 不同单晶硅球的密度差值进行测量。

基于压浮法的不同单晶硅球的密度差值测量是指在一定的温度下,通过调 节压力,并利用液体的压缩系数控制液体密度,分别使基准单晶硅球和待测单 晶硅球在液体中悬浮,然后根据悬浮状态时液体的温度、压力和单晶硅球的悬 浮高度得到基准单晶硅球与待测单晶硅球的密度差值。

图1是利用基于压浮法的不同单晶硅球的密度差值测量系统原理图。该系 统主要包括压力悬浮装置101、位移测量装置102、压力测量控制装置103、温 度测量控制装置104和处理单元105。基准单晶硅球S1和待测单晶硅球S2置于 装有工作液体的压力悬浮装置101中,其中工作液体的密度接近于单晶硅球的 密度。通过调节压力测量控制装置103和温度测量控制装置104,使基准单晶硅 球S1和待测单晶硅球S2分别在液体中处于稳定悬浮状态。由基准单晶硅球S1的 密度、液体及单晶硅球的温度膨胀系数和液体及单晶硅球的压缩系数,得到基 准单晶硅球S1与被测单晶硅球S2的密度差值Δρ,即

Δρρ=-(γl-γSi)×(t2-t1)+(Kl-KSi)×[(p2-p1)+ρg(h2-h1)]---(1)]]>

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量科学研究院,未经中国计量科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521052218.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top