[实用新型]一种高亮度正装发光二极管

权利要求书

1.一种高亮度正装发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型半导体层（2）、发光层（3）、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构，在N型半导体层（2）上的一端置有N型电极（7），透明导电层上、与N型电极（7）相对的另一端置有P型电极（6），其特征在于：所述P型半导体层分割成若干块P型半导体层分区（41），所述透明导电层相应的分割成若干块透明导电层分区（51），分离的P型半导体层分区（41）和覆盖在P型半导体层分区（41）上方的透明导电层分区（51）组成P型欧姆接触层分区，P型欧姆接触层分区之间依次通过P电极延伸线（61）连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型欧姆接触层分区表面为长方形、三角形或者按任意平面图形分割形成。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述P电极延伸线（61）为直线形状或弯曲形状，P电极延伸线（61）设有一条或者若干条。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层分区（51）的厚度在100-3000埃的范围内根据需求进行选择。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述各透明导电层分区（51）的厚度可以不全部相同。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述每块P型半导体层分区（41）和覆盖在该P型半导体层分区（41）上的透明导电层分区（51）的形状一致，透明导电层分区（51）的边缘相对于P型半导体层分区（41）的边缘均匀向内缩小5-20μm。