[实用新型]一种晶体生长的坩埚盖有效
| 申请号： | 201521058452.1 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205313718U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄小卫;杨敏;赵慧彬;柳祝平 | 申请（专利权）人： | 福建鑫晶精密刚玉科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 泉州劲翔专利事务所(普通合伙) 35216 | 代理人： | 林枫 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体生长的坩埚盖，其特征在于，由圆形钼板压制而成的帽子状盖体，所述盖体分为两层，包括顶层、底层以及圆筒状的过渡段，在顶层的中间开有一通孔。
2.根据权利要求1所述晶体生长的坩埚盖，其特征在于，所述顶层高于底层40mm。
3.根据权利要求1所述晶体生长的坩埚盖，其特征在于，所述过渡段的内直径为230mm，所述顶层的外直径380mm，所述通孔的直径为100mm。
4.根据权利要求3所述晶体生长的坩埚盖，其特征在于，所述顶层的厚度为4mm，所述底层的厚度为6mm。
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