[实用新型]一种温度梯度晶体生长下保温屏

权利要求书

1.一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：包括若干圆环形的钼保温片、将该 若干钼保温片固接在一起的若干支撑钼杆、支撑钨柱、第一氧化锆保温块和第二氧化锆保温 块；该若干钼保温片上下平行间隔同轴层叠布置；该若干钼保温片外径相同，内径由上层到 下层依次由大变小且最下方两层钼保温片的内径相等；该若干钼保温片相互配合以在中心形 成一类倒圆锥形的通道；该若干支撑钼杆穿过各钼保温片且通过若干钼螺母与各钼保温片固 接；该支撑钨柱位于该若干钼保温片中央且其轴线与各钼保温片的圆心轴线重合；该第一氧 化锆保温块呈中央有孔的圆盘形；该第二氧化锆保温块呈中央有孔的类倒圆锥形；该第二氧 化锆保温块适配套接在支撑钨柱外且适配装接在该通道内；该第一氧化锆保温块适配套接在 支撑钨柱外且放置在第二氧化锆保温块上。

2.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述第一氧化 锆保温块由5～7个相同的纵截面为类长方形的第一氧化锆块拼接而成；所述第二氧化锆保 温块由5～7个相同的纵截面为类梯形的第二氧化锆块拼接而成。

3.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述若干钼保 温片为14～16个。

4.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：相邻两层的所 述钼保温片的内径之差为4～6mm且最下方两层钼保温片的内径相等。

5.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述第二氧化 锆保温块的上表面与最上方的钼保温片上表面齐平；所述第一氧化锆保温块适配套接在支撑 钨柱外且放置在第二氧化锆保温块和最上方的钼保温片上。

6.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述第一氧化 锆保温块的外径与该若干钼保温片的外径相等。

7.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述支撑钨柱 为中空圆柱形，其下表面与最下层钼保温片的下表面齐平，且支撑钨柱外径不大于最下方两 层钼保温片的内径。

8.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述若干支撑 钼杆包括沿径向内外间隔布置的第一组支撑钼杆与第二组支撑钼杆，该第一组支撑钼杆为 3～5个，该3～5个第一组支撑钼杆周向间隔布置；该第二组支撑钼杆为3～5个，该3～5 个第二组支撑钼杆周向间隔布置。

9.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述钼保温片 上均设有位置相互对应的安装孔；所述支撑钼杆穿过该安装孔且通过钼螺母与各钼保温片固 接。

10.根据权利要求1所述的一种温度梯度晶体生长下保温屏，其特征在于：所述若干钼 保温片的间距相等。