[实用新型]单相自耦变压器有效

专利信息
申请号: 201521062039.2 申请日: 2015-12-17
公开(公告)号: CN205335052U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 叶艳燕;杨宏伟 申请(专利权)人: 云南变压器电气股份有限公司
主分类号: H01F30/02 分类号: H01F30/02;H01F30/16;H01F27/25;H01F27/30;H01F27/26
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;黄健
地址: 650106 云南省*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 单相 自耦变压器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及变压器技术领域,尤其涉及一种单相自耦变压器。

背景技术

由于自耦变压器(AutoTransformer;简称:AT)供电方式的供电能力强、供电距离长等优点,目前高速电气化客运铁路广泛采用了AT供电方式进行供电,单相自耦变压器作为主要供电设备在AT供电系统大量采用。按照国家经济可持续发展的要求,推进绿色消费、节能环保,电气化铁路也正朝着节能降耗的方向发展,而我国电气化铁路牵引负荷率却不高,自耦变压器的空载损耗成为电气化铁路电能损耗的重要组成部分,因此降低自耦变压器的空载损耗具有重要意义。

参照附图1和附图2,现有技术中的单相自耦变压器包括:铁心1、线圈(图中未示出),铁心1包括左铁心柱11、右铁心柱12以及用于将左铁心柱11和右铁心柱12连接起来以形成闭合环路的上铁轭13和下铁轭14。其中,左铁心柱11和右铁心柱12均是叠铁心心柱,即,其由多级不同片宽的硅钢片10由前至后逐片叠制而成,且每级硅钢片的外形为矩形框,左右铁心柱的横向截面近似圆形(如附图2所示)。

由于现有技术的单相自耦变压器的铁心柱为多级不同片宽的硅钢片叠制而成,导致铁心柱与铁轭的搭接处存在接缝,从而导致空载损耗增加;且每级硅钢片为矩形框,导致铁心重量大,而空载损耗与铁心的重量呈正比,导致该变压器的空载损耗高。因此,如何降低单相自耦变压器的空载损耗成为亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种单相自耦变压器,以克服现有技术的单相自耦变压器空载损耗高的缺陷。

本实用新型提供的一种单相自耦变压器,包括:铁心和线圈,所述铁心为由硅钢带连续紧密地卷绕而成的卷铁心,且所述卷铁心的边框的四个角均为圆角;

所述卷铁心包括左铁心柱、右铁心柱、上铁轭、下铁轭;所述线圈包括第一高压线圈、第二高压线圈、第一低压线圈、第二低压线圈;

所述第二高压线圈套在所述左铁心柱上,所述第一低压线圈套在所述第二高压线圈上,且所述第一低压线圈与所述第二高压线圈相互绝缘;所述第二低压线圈套在所述右铁心柱上,所述第一高压线圈套在所述第二低压线圈上,且所述第二低压线圈与所述第一高压线圈相互绝缘;

所述第一高压线圈与所述第二高压线圈串联,所述第一低压线圈与所述第二低压线圈串联。

如上所述的单相自耦变压器,所述第一低压线圈的输入端与牵引供电系统的正馈线连接,所述第一低压线圈的输出端与所述第二低压线圈的输入端连接,所述第二低压线圈的输出端连接在正抽头上,所述正抽头与轨道相连并接地;

所述第一高压线圈的输入端与牵引供电系统的牵引线连接,所述第一高压线圈的输出端与所述第二高压线圈的输入端连接,所述第二高压线圈的输出端与所述正抽头连接。

如上所述的单相自耦变压器,所述变压器还包括:用于夹紧所述卷铁心的上夹紧件和下夹紧件;

所述上夹紧件包括:第一上夹件和第二上夹件,所述第一上夹件和所述第二上夹件分别位于所述上铁轭的两侧;

所述下夹紧件包括:第一下夹件和第二下夹件,所述第一下夹件和所述第二下夹件分别位于所述下铁轭的两侧;

所述第一上夹件和所述第一下夹件之间通过螺杆连接,所述第二上夹件和所述第二下夹件之间通过螺杆连接。

如上所述的单相自耦变压器,所述变压器还包括:位于所述第一高压线圈、第二高压线圈、第一低压线圈和第二低压线圈的顶部的压紧件。

如上所述的单相自耦变压器,所述压紧件包括:层压木、压钉;

所述层压木包括第一层压木和第二层压木,所述第一层压木位于所述第一低压线圈和所述第二高压线圈的顶部;所述第二层压木位于所述第一高压线圈和所述第二低压线圈的顶部;

所述压钉为多个,多个压钉分别压设在所述第一层压木和所述第二层压木上,且多个压钉分别与所述第一上夹件或所述第二上夹件连接。

如上所述的单相自耦变压器,所述压紧件还包括端圈和垫块;

所述端圈包括第一端圈和第二端圈,所述第一端圈位于所述第一低压线圈和所述第二高压线圈的顶部;所述第二端圈位于所述第一高压线圈和所述第二低压线圈的顶部;

所述垫块包括第一垫块和第二垫块,所述第一垫块位于所述第一端圈的上表面,所述第二垫块位于所述第二端圈的上表面;

所述第一层压木位于所述第一垫块的上方,所述第二层压木位于所述第二垫块的上方。

如上所述的单相自耦变压器,所述第一垫块为多个,且呈辐射状分布在所述第一端圈上;

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