[实用新型]一种光谱下转换太阳能电池组件有效
申请号: | 201521062558.9 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN205248289U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 邵国键;娄朝刚 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光谱 转换 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光谱下转换太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池在短波区域光谱响应较低,与此同时,此波段的反射率相对较高, 因此位于此波段的大部分光子,或者在表面被反射,或者在到达太阳能电池p-n 结之前便被消耗殆尽。仅有一小部分能被太阳能电池吸收利用产生电流。如何利 用太阳光谱中短波长光子的能量一直是一个技术难题。
在将太阳能电池制作成组件时,需要将玻璃板、EVA胶和电池片封装在一起。 这样的组件采用多层结构,增加了反射界面的数量。另外,EVA胶中通常含有 一些微小的气泡,会影响光的透过。这些因素带来了表面反射率的增加,会使得 组件的转换效率低于电池片的转换效率。如何改进太阳能电池组件的结构和封装 工艺也是光伏技术里面的一个难题。
光谱下转换材料可以将短波长的高能量光子转换为能够被太阳能电池吸收 的长波长光子,有利于改善电池在短波长范围的性能。在制作组件的过程中,通 过引入光谱下转换材料以提高短波长光子的吸收,同时优化组件的结构设计降低 由于反射增加而带来的能量损失,达到提高太阳能电池组件转换效率的目的。
发明内容:
技术问题:本实用新型的目的是提供一种光谱下转换太阳能电池组件, 以改善高能量光子的利用率,提高太阳能电池组件的转换效率。
发明内容:为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种光谱下转换太 阳能电池组件,该组件由下转换材料以薄膜的形式位于玻璃片的下表面或以颗粒 的形式分散于乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)胶膜中;将玻璃板与太阳能电池片通 过EVA胶膜在真空中封装为一体后形成;其中,涂覆了下转换薄膜的玻璃片、EVA 胶膜和太阳能电池片组成太阳能电池组件,该太阳能电池组件的结构自上而下依 次为:玻璃板、下转换薄膜、EVA胶膜、太阳能电池片。
优选的,所述下转换薄膜通过真空镀膜、旋涂或化学溶液法得到。
优选的,将下转换颗粒涂覆于EVA胶膜的表面,后利用封装工艺中的加热过 程将颗粒分散到EVA胶膜中。
优选的,有下转换颗粒的EVA胶膜的制备方法是:先将下转换颗粒与EVA 胶混合均匀,再涂覆到电池片的表面来制备。
优选的,太阳能天池组件封装工艺在真空中进行,封装温度为130-150℃, 压强为1╳10-1-1╳102Pa。
优选的,下转换材料为有机或无机下转换材料。
优选的,下转换薄膜覆盖玻璃片表面时,其厚度在500nm以下,形状是层状、 带状、环状、圆饼状以及柱状阵列中的任意一种。
优选的,所述颗粒大小在1nm-1mm之间。
有益效果:将下转换材料引入到太阳能电池组件中,提高了太阳能电池 在短波长光子的利用率。同时,通过控制玻璃板下表面的下转换薄膜厚度或EVA 胶膜中下转换颗粒的浓度,避免组件的表面反射率的明显升高。本发明不仅利用 太阳能电池光谱响应随波长增加而提高的特性,短波长光子得到更有效利用,而 且减少了太阳能电池组件表面反射率升高而带来的能量损失。与传统太阳能电池 组件相比,含有光谱下转换材料的太阳能电池组件的光电转换效率得到了明显提 高。
附图说明
图1为下转换薄膜制备于玻璃板下表面的太阳能电池组件结构图,1为太 阳能电池片,2为EVA胶膜,3为光谱下转换薄膜,4为玻璃片;
图2为下转换颗粒分散于EVA胶膜中的太阳能电池组件结构图,1为太阳 能电池片,2为EVA胶膜,4为玻璃片,5为下转换颗粒。
EVA---乙烯-醋酸乙烯共聚物
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明。
参见图1-2,本实用新型提供的光谱下转换太阳能电池组件该组件由下转换 材料以薄膜的形式位于玻璃片的下表面或以颗粒的形式分散于EVA胶膜中;将玻 璃板与太阳能电池片通过EVA胶膜在真空中封装为一体后形成;在这个过程中, 控制薄膜的厚度或者EVA胶膜中下转换颗粒的浓度,使其不会对太阳能电池组件 的表面反射率造成明显影响。
其中,涂覆了下转换薄膜的玻璃片、EVA胶膜和太阳能电池片组成太阳能电 池组件,该太阳能电池组件的结构自上而下依次为:玻璃板、下转换薄膜、EVA 胶膜、太阳能电池片。
所述下转换薄膜通过真空镀膜、旋涂或化学溶液法得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的