[实用新型]电压抑制磁干扰的电容器有效
申请号: | 201521069883.8 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN205354875U | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 石怡;程传波;吴伟;胡鹏;杨必祥 | 申请(专利权)人: | 昆山万盛电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/005 | 分类号: | H01G4/005;H01G4/236 |
代理公司: | 北京恩赫律师事务所 11469 | 代理人: | 宋波 |
地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 抑制 干扰 电容器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电容器,具体而言,涉及一种电压抑制磁干扰的电容器。
背景技术
电容器是电子设备中被广泛应用的一种电子元件,根据材料的不同,目前所使用的电容器又包括了瓷质电容器、云母电容器、有机电容器和电解电容器等等。这其中,特别对于瓷质电容器,为了抑制电磁的干扰,安规标准对于电容器的可接电压(即额定电压)作出了规定,需要至少为X1400V、Y1250V,较低的额定电压使得电容器只能应用于在一些家电领域,而对于一些新兴的行业,例如LED照明产业、光伏产业、特种服务器电源等领域,则无法满足这些行业的需要,因而限制了电容器的应用范围。
实用新型内容
鉴于此,本实用新型提供了一种电压抑制磁干扰的电容器,旨在解决现有技术中电容器可接电压过低的问题,从而满足电容器在其它领域的应用,有效地抑制磁干扰。
本实用新型提供了一种电压抑制磁干扰的电容器,包括呈圆饼状的芯片部、第一引脚部和第二引脚部,芯片部内设置有芯片,芯片的相对两侧面具有凸起的弧面,两弧面上分别贴覆有同样呈弧面的正电极和负电极。
进一步地,上述芯片部的可接电压至少为X1760V、Y1500V。
进一步地,上述第一引脚部固定连接于芯片部的顶面,第一引脚部沿着顶面的径向向外延伸形成第一引脚部的第一径向延伸部,第一径向延伸部的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第一引脚部的第一垂直延伸部;
上述第二引脚部相对第一引脚部固定连接于芯片部的底面,第二引脚部沿着底面的径向向外延伸形成第二引脚部的第二径向延伸部,第二径向延伸部的自由端折弯后继续沿着垂直方向延伸形成第二引脚部的第二垂直延伸部,第二径向延伸部与第一径向延伸部形成“八”字形或者“X”字形结构,第二垂直延伸部与第一垂直延伸部相互平行。
进一步地,上述第一引脚部位于顶面上的一端部偏心设置于顶面上。
进一步地,上述第二引脚部位于底面上的一端部偏心设置于底面上。
进一步地,上述第一径向延伸部在接近第一垂直延伸部的一端具有弧形的第一拱起部,第二径向延伸部在接近第二垂直延伸部的一端具有弧形的第二拱起部。
本实用新型提供的电压抑制磁干扰的电容器,通过在芯片的相对两侧面设置凸起的弧面,并在两弧面上分别贴覆有同样呈弧面的正电极和负电极,使得正负电极之间的距离得以增大,从而使得本电容器的储电量得以增大,提高电容器的可接电压,从而满足电容器在LED照明产业、光伏产业、特种服务器电源等领域内的应用,有效地抑制磁干扰。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1为本实用新型实施例提供的电压抑制磁干扰的电容器在主视角度下的结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的电压抑制磁干扰的电容器在侧视角度下的结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
参见图1至图2,图中示出了本实用新型实施例提供的电压抑制磁干扰的电容器。该电压抑制磁干扰的电容器包括呈圆饼状的芯片部1、第一引脚部2和第二引脚部3,芯片部1的外部包覆有树脂等材料制成的包封皮15;作为其中的改进之处,该芯片部1内设置有芯片13,芯片13的相对两侧面具有凸起的弧面131,两弧面131上分别贴覆有同样呈弧面的正电极141和负电极142。
本实施例所提供的电压抑制磁干扰的电容器,通过在芯片的相对两侧面设置凸起的弧面,并在两弧面上分别贴覆有同样呈弧面的正电极和负电极,使得正负电极之间的距离得以增大,从而使得本电容器的储电量得以增大,提高电容器的可接电压,从而满足电容器在LED照明产业、光伏产业、特种服务器电源等领域内的应用,有效地抑制磁干扰。
在采用上述的结构之后,芯片部1的可接电压为X1760V、Y1500V,当然也可以更高,使得本电容器可以获得更广泛的应用,更有效地抑制磁干扰。
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