[实用新型]供液装置及湿法刻蚀设备有效
申请号: | 201521076468.5 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN205211717U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 喻畅;董明;钱文明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 湿法 刻蚀 设备 | ||
1.一种供液装置,包括储液槽、喷嘴、连通所述喷嘴与所述储液槽的供液 管道以及设置在所述供液管道上的抽液泵,其特征在于,所述供液装置还包括 设置在所述储液槽中的虹吸腔、连通所述虹吸腔与所述喷嘴的虹吸管道、设置 在所述虹吸管道上的虹吸控制阀、连通所述虹吸腔与所述抽液泵的细流注入管 道以及设置在所述细流注入管道上的辅助阀,所述细流注入管道连接所述虹吸 腔的一端设置在所述虹吸控制阀与所述虹吸腔之间的虹吸管道上并与所述虹吸 管道连通,所述喷嘴的最低点高于所述虹吸腔的最高点。
2.如权利要求1所述的供液装置,其特征在于,所述抽液泵的出口与所述 储液槽之间还设置有回流管道。
3.如权利要求1所述的供液装置,其特征在于,所述喷嘴的最低点与所述 虹吸腔的最高点之间的高度差为1米~5米。
4.如权利要求1或3所述的供液装置,其特征在于,所述喷嘴的最低点与 所述虹吸腔的最高点之间的高度差为3米。
5.如权利要求1所述的供液装置,其特征在于,所述储液槽中还设置有多 个液位传感器。
6.如权利要求1所述的供液装置,其特征在于,所述供液装置还包括分别 连通所述虹吸腔和所述储液槽的至少一条进液管道、至少一条排液管道以及设 置在所述进液管道上的进液阀和设置在所述排液管道上的排液阀。
7.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括权利要求1至6中任一项所述的 供液装置。
8.如权利要求7所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括刻蚀室,所述 喷嘴位于所述刻蚀室中,所述刻蚀室中在所述喷嘴下方设置有承载湿法刻蚀物 的真空吸盘、连接所述真空吸盘并带动所述真空吸盘旋转的旋转机台、以及连 接所述真空吸盘并维持所述真空吸盘的真空度的真空泵。
9.如权利要求8所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括设置于所述刻 蚀室底部的废液回收槽。
10.如权利要求8所述的湿法刻蚀设备,其特征在于,还包括出口对准所 述刻蚀室中的所述真空吸盘的表面的去离子水管道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造