[实用新型]无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置有效
| 申请号： | 201521078544.6 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN205313717U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王利忠;李斌;王英民;魏汝省;毛开礼;徐伟;戴鑫;马康夫;周立平;付芬;田牧;侯晓蕊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 山西科贝律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 元素 高纯 绝缘 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，包括高纯石墨坩埚（2），在高纯石墨坩埚（2）的外侧面上设置有石墨毡保温层（7），在石墨毡保温层（7）上分别设置有下测温孔（8）和上测温孔（9），其特征在于，在高纯石墨坩埚（2）的内腔顶部设置有石墨托（1），在石墨托（1）上设置有籽晶（4），在籽晶（4）上设置有生长后的碳化硅晶体（5），在高纯石墨坩埚（2）的腔内下部设置有SiC高纯粉料（3），在石墨托（1）与高纯石墨坩埚（2）的内腔内侧壁之间设置有小孔（6）。
2.根据权利要求1所述的一种无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置，其特征在于,SiC高纯粉料（3）的顶面与籽晶（4）的底面之间的距离为50-60毫米，下测温孔（8）的直径和上测温孔（9）的直径均为10-20毫米。
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