[实用新型]MAM跳线膜层结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电容触摸屏的结构设计，更准确地说，尤其涉及一种电容触 摸屏的走线结构。

背景技术

电容触摸屏金属走线的保护工艺，包括全部的单面搭桥SITO和双面走线DITO产 品。SITO是SingleITO的简称。即菱型线路做法，XY轴都在玻璃的一面。DITO是 DoubleITO的简称。即两面线路做法，XY轴分别布于玻璃上下两层。但是金属线裸 露在空气中，随着时间的推移，触摸屏功能逐渐失灵，一般做法是对金属线进行显影 蚀刻。现有电容屏的生产厂商的设计为：可视区(VA区)为透明的氧化铟锡(ITO)， 可视区以外的为金属MAM走线，金属线的线距越来越小，这种设计会产生如下问题， 就是一旦金属线断开或者被划伤就会产生废品。而对金属线进行蚀刻会加剧废品的产 生。

实用新型内容

本实用新型提供一种MAM跳线膜层结构，要解决的技术问题在于该结构的连接 及结构的设计。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：所述膜层结构以玻璃基 板为基础，在玻璃基板上间隔的设有玻璃sensor图案块，两块玻璃sensor图案块之间 通过设在其上方的MAMJumper跨接，两块玻璃sensor图案块、MAMJumper和玻璃 基板围成的空间填充为绝缘岛，所述MAMJumper上方和间隔填充有保护层，所述膜 层结构的两侧在相对应的玻璃sensor图案块上分别设有导流的金属走线。

进一步地，所述MAMJumper均架在玻璃sensor图案块上方，且MAMJumper的 两个触点分别架在间隔的玻璃sensor图案块上。

进一步地，所述玻璃sensor图案块通过HCL和HNO3来蚀刻图案。

进一步地，所述MAMJumper和金属走线通过H3PO4和HNO3蚀刻。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优 点：本实用新型的设计使得即使金属钼铝钼走线有断线的情况发生，其走线起到导通 的作用，提高了产品的合格率，降低了金属走线显影蚀刻的工艺要求。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的 示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在 附图中：

图1为本实用新型MAM跳线膜层结构的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细说明。

第一实施例

参考图1，MAM跳线膜层结构，膜层结构以玻璃基板1为基础，在玻璃基板1 上间隔的设有玻璃sensor图案块2，两块玻璃sensor图案块2之间通过设在其上方的 MAMJumper3跨接，两块玻璃sensor图案块2、MAMJumper3和玻璃基板1围成的 空间填充为绝缘岛4，MAMJumper3上方和间隔填充有保护层5，膜层结构的两侧在 相对应的玻璃sensor图案块2上分别设有导流的金属走线6。

MAMJumper3均架在玻璃sensor图案块2上方，且MAMJumper3的两个触点分 别架在间隔的玻璃sensor图案块2上。

玻璃sensor图案块2通过HCL和HNO3来蚀刻图案。

MAMJumper3和金属走线6通过H3PO4和HNO3蚀刻。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域 的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则 之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。