[实用新型]ITO跳线膜层结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电容触摸屏的结构设计，更准确地说，尤其涉及一种电容触摸屏的ITO跳线走线结构。

背景技术

电容触摸屏金属走线的保护工艺，包括全部的单面搭桥SITO和双面走线DITO产品。SITO是SingleITO的简称。即菱型线路做法，XY轴都在玻璃的一面。DITO是DoubleITO的简称。即两面线路做法，XY轴分别布于玻璃上下两层。但是金属线裸露在空气中，随着时间的推移，触摸屏功能逐渐失灵，一般做法是对金属线进行显影蚀刻。现有电容屏的生产厂商的设计为：可视区(VA区)为透明的氧化铟锡(ITO)，可视区以外的为金属MAM走线，金属线的线距越来越小，这种设计会产生如下问题，就是一旦金属线断开或者被划伤就会产生废品。而对金属线进行蚀刻会加剧废品的产生。

实用新型内容

本实用新型提供一种ITO跳线膜层结构，要解决的技术问题在于该膜层结构的设计和连接。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：ITO跳线膜层结构，其特征在于：所述膜层结构包括玻璃基板、绝缘层和保护层，所述绝缘层夹在玻璃基板和保护层中间，绝缘层内设有贯穿的U形ITOJumper，其余填充为绝缘岛，所述U形ITOJumper底端贴在玻璃基板上，所述保护层的底层间隔设有sensor图案块，所述U形ITOJumper触点分别跨接在间隔的两个sensor图案块，所述保护层两底角处分别设有一根金属走线。

进一步地，所述膜层结构的分布从上往下依次为保护层、绝缘层和玻璃基板。

进一步地，所述U形ITOJumper的凹槽内也灌充成绝缘岛。

进一步地，所述sensor图案块的其中一面贴在绝缘层上表面。

最后，所述U形ITOJumper、sensor图案块和金属走线均是通过HCL和HNO3来蚀刻图案。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：本实用新型的设计使得即使ITO走线有断线的情况发生，其走线起到导通的作用，提高了产品的合格率，降低了金属走线显影蚀刻的工艺要求。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型ITO跳线膜层结构的结构示意图；

图2为本实用新型ITO跳线膜层结构的绝缘层结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步详细说明。

第一实施例

参考图1、图2，ITO跳线膜层结构，膜层结构包括玻璃基板1、绝缘层2和保护层3，绝缘层2夹在玻璃基板1和保护层3中间，膜层结构的分布从上往下依次为保护层3、绝缘层2和玻璃基板1，绝缘层2内设有贯穿的U形ITOJumper4，其余填充为绝缘岛5，U形ITOJumper4的凹槽内也灌充成绝缘岛5，U形ITOJumper4底端贴在玻璃基板1上，保护层3的底层间隔设有sensor图案块7，U形ITOJumper4触点分别跨接在间隔的两个sensor图案块7，sensor图案块7的其中一面贴在绝缘层2上表面，保护层3两底角处分别设有一根金属走线6。

U形ITOJumper4、sensor图案块7和金属走线均是通过HCL和HNO3来蚀刻图案。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。