[实用新型]开关装置

权利要求书

1.一种开关装置，包括控制端、第一端、第二端和第一晶体管；所述第一晶体管的控制极连接所述开关装置的控制端，所述第一晶体管的第一极连接所述开关装置的第一端，所述第一晶体管的第二极连接所述开关装置的第二端；其特征在于，所述开关装置还包括第一电容和电压生成电路；

所述第一电容的第一端与所述第一晶体管的控制极连接，第二端接低电平电压；所述电压生成电路向所述第一电容的所述第一端提供与所述第一晶体管的导通电压的极性相反的电压。

2.根据权利要求1所述的开关装置，其特征在于，

所述电压生成电路包括第一电阻，其串联在所述第一电容的第一端和所述第一晶体管的第一极之间。

3.根据权利要求1或2所述的开关装置，其特征在于，所述第一晶体管为P型晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的开关装置，其特征在于，所述第一晶体管是P型MOS管，第一晶体管的第一极是源极，所述第一晶体管的第二极是漏极。

5.根据权利要求4所述的开关装置，其特征在于，所述开关装置还包括第二晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻；所述第二晶体管为N型晶体管；

其中，所述第二晶体管的第一极通过所述第二电阻连接到所述第一晶体管的所述控制极，所述第二晶体管的第二极接低电平电压，所述第二晶体管的控制极通过串联的所述第三电阻和所述第四电阻接低电平电压，所述第三电阻和所述第四电阻的连接点连接所述开关装置的控制端。

6.根据权利要求5所述的开关装置，其特征在于，所述第二晶体管为NPN型晶体管；所述第二晶体管的第一极是集电极，所述第二晶体管的第二极是发射极。

7.根据权利要求1或2所述的开关装置，其特征在于，所述第一晶体管为N型晶体管。

8.根据权利要求1或2所述的开关装置，其特征在于，所述第一晶体管为N型MOS管；所述第一晶体管的第一极是源极，所述第一晶体管的第二极是漏极。

9.根据权利要求8所述的开关装置，其特征在于，所述开关装置还包括第二晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻；所述第二晶体管为P型晶体管；

其中，所述第二晶体管的第一极通过所述第二电阻连接到所述第一晶体管的所述控制极，所述第二晶体管的第二极连接到高电平电压，所述第二晶体管的控制极通过串联的所述第三电阻和所述第四电阻连接到高电平电压，所述第三电阻和所述第四电阻的连接点连接所述开关装置的控制端。

10.根据权利要求9所述的开关装置，其特征在于，所述第二晶体管为PNP型晶体管；所述第二晶体管的第一极是集电极，所述第二晶体管的第二极是发射极。