[实用新型]一种集热膜的真空镀膜设备

说明书

技术领域

本实用新型属于真空镀膜设备的领域，尤其涉及集热膜的真空镀膜设备。

背景技术

集热类产品是一种能够利用太阳能进行光热转换的产品，其一般包括基片 箔膜及设于基片箔膜上的集热膜。其中，集热膜通常采用喷涂或者涂刷的方式 设置于基片箔膜上。以基片箔膜上焊接有水管的集热类产品为例，工作时，当 阳光照射到集热膜后，由于光热转换作用，集热膜层获得热能，再传递给基片 箔膜，使基片箔膜和水管温度升高，水管内的水将会带走热量，以完成热交换。 但是，该集热类产品仍然存在这样的问题：集热膜采用喷涂或涂刷的方式设于 基片箔膜上，其集热膜与基片箔膜的结合强度低，集热膜于基片箔膜上的沉积 速率低，集热效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种集热膜的真空镀膜设备，旨在解决现有镀 膜方式所存在的集热膜与基片箔膜的结合强度低、沉积速率低和集热效率低的 问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了集热膜的真空镀膜设备，包括腔 体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的 基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所 述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有 用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往 所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。

进一步地，所述滚筒组包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料 筒之间的中间卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收 料筒卷绕传动。

进一步地，所述基片箔膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段，与所述弧段相 对的位置上设有用于产生磁场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的 磁性元件。

进一步地，所述磁性元件成对设置于所述弧段两侧且位于所述弧段的中心 线上。

进一步地，所述靶材与所述弧段相对设置且位于所述弧段的中心线上。

进一步地，所述腔室中设有用于监视所述金属等离子体在所述基片箔膜上 沉积均匀度的视频监控器。

进一步地，所述腔室中设有用于测量所述金属等离子体于所述基片箔膜上 的附着厚度的台阶仪。

进一步地，所述储气装置包括用于储存氩气的第一储气罐、用于储存氧气 的第二储气罐及用于储存氮气的第三储气罐，所述第一储气罐、所述第二储气 罐及所述第三储气罐分别通过管道与所述腔室相通。

进一步地，所述管道上设有气体控制阀。

进一步地，所述抽空装置为真空泵。

本实用新型提供的显示装置的有益效果：

上述集热膜的真空镀膜设备，将基片箔膜、滚筒组和弧源设置于密闭腔室 内。弧源包括阴极和阳极，将靶材安装于阴极上。弧源通过阴极和阳极之间的 弧光放电，促使阴极上的靶材熔化，并溅射金属等离子体。膜层镀制时，先采 用抽空装置对腔室抽真空，以确保腔室呈真空状态，接着，往腔室内通入氩气、 氧气及氮气的混合气体，通气后，驱使滚筒组匀速转动，使得基片箔膜匀速传 动，最后，给弧源通电，并给基片箔膜施加负偏电压，至此，完成膜层的镀制。

综上所述，上述集热膜的真空镀膜设备，在密闭腔室内，将靶材设置于弧 源的阴极上，使靶材朝基片箔膜溅射金属等离子体，并对腔室内金属等离子体 的溅射条件进行调节，例如，对腔室内氩气、氧气及氮气的混合气体流量、基 片箔膜的移动线速度、弧源的电流和基片箔膜的负偏电压进行调节，使得金属 等离子体于基片箔膜上均匀沉积，并形成集热膜。因此，相比较现有技术而言， 采用集热膜的真空镀膜设备，于基片箔膜上镀制集热膜，其集热膜与基片箔膜 的结合强度高，集热膜于基片箔膜上的沉积速率高，集热效率高。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的集热膜的真空镀膜设备的结构示意图；

图2是本实用新型实施例提供的集热膜的真空镀膜设备的另一结构示意 图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图 及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1～2所示，为本实用新型提供的较佳实施例。