[实用新型]一种图像传感器像素硬复位保护电路有效
申请号: | 201521089673.5 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN205232331U | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 魏民会 | 申请(专利权)人: | 惠州市盛微电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 516006 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像传感器 像素 复位 保护 电路 | ||
1.一种图像传感器像素硬复位保护电路,其特征在于:包括不交叠信号产生电路、电平转换电路以及抗饱和负载驱动电路,其中:
所述不交叠信号产生电路含有2个与非门G1、G2,3个反相器B1、B2、B3;
所述电平转换电路含有2个PMOS管MP1、MP2,2个NMOS管MN1、MN2;
所述抗饱和负载驱动电路含有1个PMOS管MP3,1个传输门TG;
所述第一与非门G1设有两个输入端、一个输出端,所述第二与非门G2设有两个输入端、一个输出端,所述第一与非门G1的两个输入端分别与复位开关、所述第二与非门G2的输出端相连,所述第二与非门G2的两个输入端分别与所述第一与非门G1的输出端、第三反相器B3的输出端相连,所述第三反相器B3的输入端与复位开关相连,所述第一反相器B1的输入端与所述第一与非门G1的输出端相连,第一反相器B1的输出端与所述电平转换电路中的第一NMOS管MN1的栅极相连,所述第二反相器B2的输入端与所述第二与非门G2的输出端相连,第二反相器B2的输出端与所述电平转换电路中的第二NMOS管MN2的栅极相连;
所述第一NMOS管MN1的源极与所述第二NMOS管MN2的源极接地,所述第一NMOS管MN1的漏极与所述第一PMOS管MP1的漏极、所述第二PMOS管MP2的栅极、以及所述抗饱和负载驱动电路中的第三PMOS管MP3的栅极、传输门TG的门控制信号输出端相连于节点N1,所述第二NMOS管MN2的漏极与所述第一PMOS管MP1的栅极、所述第二PMOS管MP2的漏极、以及所述抗饱和负载驱动电路中的传输门TG的门控制信号输入端相连于节点N2,所述第一PMOS管MP1的源极、所述第二PMOS管MP2的源极以及所述抗饱和负载驱动电路中的第三PMOS管MP3的源极与复位电平输入端相连;
所述第三PMOS管MP3的漏极以及所述传输门TG的信号输出端与复位信号输出端相连,所述传输门TG的信号输入端连接到Vblooming输出端。
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器像素硬复位保护电路,其特征在于:在所述电平转换电路中,所述第一NMOS管MN1的尺寸大于所述第一PMOS管MP1的尺寸,所述第二NMOS管MN2的尺寸大于所述第二PMOS管MP2的尺寸。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器像素硬复位保护电路,其特征在于:在所述不交叠信号产生电路中,所述与非门G1、G2,以及反相器B1、B2、B3采用3.3V工艺MOS管。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器像素硬复位保护电路,其特征在于:在所述电平转换电路中,所述PMOS管MP1、MP2,以及NMOS管MN1、MN2采用5V工艺MOS管。
5.根据权利要求1所述的一种图像传感器像素硬复位保护电路,其特征在于:在所述抗饱和负载驱动电路中,所述PMOS管MP3以及传输门TG采用5V工艺MOS管。
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