[实用新型]一种改进的三维亥姆霍兹线圈架有效
申请号: | 201521089719.3 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN205264434U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 朱弢;杨锋;朱熠;孙永红 | 申请(专利权)人: | 钢铁研究总院 |
主分类号: | H01F5/02 | 分类号: | H01F5/02;H01F5/00 |
代理公司: | 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 | 代理人: | 张小娟 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进 三维 亥姆霍兹线圈 | ||
技术领域
本实用新型属于磁场装置技术领域,涉及一种改进的三维亥姆霍 兹线圈架。
背景技术
亥姆霍兹线圈就是一对间距等于半径的共轴圆线圈。将大、中、 小号三组亥姆霍兹线圈正交放置,就组成一套三维亥姆霍兹线圈,能 在三维线圈中心处椭球形范围内产生均匀磁场。
目前,普通的三维亥姆霍兹线圈架是这样连接的。首先,分别用 四支螺杆连接每一对共轴线圈架(大、中、小三对线圈架共用12支螺 杆);然后,用四支(甚至是八支)螺杆连接小号线圈架与中号线圈 架;最后,再用四支(甚至是八支)螺杆连接中号线圈架与大号线圈 架。这样一来,总共要用多达20支(甚至28支)螺杆才能将三组亥 姆霍兹线圈架组合在一起。
普通的三维亥姆霍兹线圈架,由于结构复杂,连接点过多,增加 了线圈架零件的数量和组装的难度。更不利的是,这些增加的螺杆占 用了本可属于内层线圈架的空间,使得大、中、小号三组线圈架的半 径差值变大,这就直接增大了椭球磁场的偏心率,不能最大限度地获 得均匀磁场空间。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种改进的三维亥姆霍兹线圈架,优化 三维线圈架结构,增大可用空间,减小均匀磁场的偏心率。
为了实现上述目的,本实用新型提供了如下技术方案:
本实用新型提供一种改进的三维亥姆霍兹线圈架,包括三组成对 正交布置的线圈架:小号线圈架1、中号线圈架2和大号线圈架3。
小号、大号成对线圈架之间分别有固定用螺杆,三组线圈架以大 套小,各个线圈架有至少一个内棱和/或至少一个外棱上开有卡槽,通 过棱与相应卡槽嵌套、约束,构成三维正交关系;其中:每个小号线 圈架1的外棱上设置有一对第一卡槽11,每个中号线圈架2的内棱上 设置有一对第二卡槽21、外棱上设置有一对第三卡槽22,每个大号线 圈架3的内棱设置有一对第四卡槽31。
一对小号线圈架1通过内连接螺杆4连接固定,一对大号线圈架3 通过外连接螺杆5连接固定;中号线圈架2通过自身上的棱与卡槽以 及小号线圈架1和大号线圈架3上的棱与卡槽嵌套固定。
同一棱上的一对卡槽沿过线圈架圆心、垂直于线圈架平面的轴线 呈轴对称布置。
两个小号线圈架1通过在其周向均匀布置的四支内连接螺杆4连 接,两个大号线圈架3通过在其周向均匀布置的四支外连接螺杆5连 接。
小号线圈架1的外棱卡固于第二卡槽21中;中号线圈架2的内棱 卡固于第一卡槽11中,其外棱卡固于第四卡槽31中;大号线圈架3 的内棱卡固于第三卡槽22中。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
本实用新型优化了三维线圈架结构,省掉了中号线圈架之间的固 定螺杆,减少了连接件数量,简化了组装步骤,在不增加外层大号线 圈架半径的前提下,使中号和小号线圈架半径增大,更接近大号线圈 架半径,即增大了可用空间,减小了均匀磁场的偏心率。
附图说明
图1为本实用新型改进的三维亥姆霍兹线圈架的结构示意图;
图2为小号、中号线圈架通过棱与卡槽嵌套的局部放大图;
图3为中号、大号线圈架通过棱与卡槽嵌套的局部放大图;
图4为小号线圈架示意图;
图5为中号线圈架示意图;
图6为大号线圈架示意图。
其中的附图标记为:
1小号线圈架11第一卡槽
2中号线圈架21第二卡槽
22第三卡槽3大号线圈架
31第四卡槽4内连接螺杆
5外连接螺杆
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进行进一步说明。
本实用新型的技术方案是这样实现的。由图1可以看到,省掉了 中号线圈架之间的固定螺杆。三组线圈架以大套小,是通过棱与相应 卡槽嵌套、约束固定的,这样就省去了(至少12个)各组线圈架之间 的连接件,简化了组装步骤。在大号线圈架尺寸不变的前提下,可使 中号及小号线圈架的尺寸尽量加大,减少了大、中、小三组线圈架的 半径差,从而提高了空间利用率,降低了磁场的偏心率,增大了三维 磁场的均匀空间。
本实用新型改进的三维亥姆霍兹线圈架,包括小号线圈架1、中号 线圈架2、大号线圈架3、内连接螺杆4和外连接螺杆5;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钢铁研究总院,未经钢铁研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521089719.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。