[实用新型]插式晶体传感器

权利要求书

1.插式晶体传感器，其特征在于，包括传感器壳体（2），传感器壳体（2）的顶面设置有第一盲孔，传感器壳体的侧面设置有第二盲孔，传感器壳体内部设置有第一电极导线（3）和第二电极导线（4），第一电极导线（3）的左端和第二电极导线（4）的左端均延伸到第二盲孔内，在第二盲孔内插入有电信号接头（1），电信号接头均与第一电极导线（3）的左端和第二电极导线（4）的左端连接，第一电极导线（3）的右端连接有第一导线尾部（5），第二电极导线（4）的右端连接有第二导线尾部（6），第一导线尾部（5）和第二导线尾部（6）均延伸到第一盲孔内，在第一盲孔内从上至下依次设置上电极盘（8），压电晶体片、下电极盘（12），上电极盘（8）与第一导线尾部（5）接触，下电极盘（12）与第二导线尾部（6）接触，还包括设置在盲孔上方的封闭盖板（7）、封闭盖板面向上电极盘的一面设置有顶压块。

2.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，顶压块与上电极盘为圆柱体，且顶压块面向上电极盘的一面的面积大于或等于上电极盘上端面的2/3。

3.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，所述压电晶体片包括晶体片本体（9）、设置在晶体片本体两侧的中间电极（11），中间电极（11）与晶体片本体之间设置有过渡电极（10），位于晶体片本体上方的中间电极（11）与上电极盘接触，位于晶体片本体下方的中间电极（11）与下电极盘接触。

4.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，晶体片本体为AT切石英晶片或者YX切LSG晶片。

5.根据权利要求1所述的插式晶体传感器，其特征在于，所述晶体片本体表面的粗糙度小于或等于0.4nm，翘曲度小于或等于8μm。

6.根据权利要求3所述的插式晶体传感器，其特征在于，中间电极为金或银或铝制成的电极。

7.根据权利要求3所述的插式晶体传感器，其特征在于，过渡电极为铬或钛制成的过渡电极。