[实用新型]一种太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种太阳能电池。

背景技术

太阳能是目前国内外大力发展的一种新能源，它利用太阳能电池吸收太 阳能，将其转换为电能，具有非常大的潜力和前途来替代传统能源。在各种 太阳能电池中，硅基太阳能电池占到了市场总份额的90％，然而，较高的生产 成本和低效率一直是困扰硅基电池发展的因素，因此，提高太阳能电池的转 化效率和降低生产成本是限制业界面对的一个巨大挑战。

当太阳光照射到电池表面时，一部分光子照射到表面金属电极上而被反 射掉，这部分是不可避免的，而另一部分光子照射到电池的硅基体上，其中 一些被吸收，另一些会因绒面光滑平整而反射损失掉，因此，一种提高电池 转换效率的方法就是改善太阳能电池的绒面结构，以减少入射光的反射损失。

现有技术中，RIE(ReactiveIonEtching，反应离子刻蚀)技术能够通过 改变电池绒面结构，降低对电池的入射光损失来提高电池的转换效率，然而， 利用该技术制备的绒面结构孔坑比较浅，容易在生产的过程中被磨损或腐蚀 掉，减反射效果不佳。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种太阳能电池，增大了表面的凹 坑深度，能够增强对太阳光的吸收，减少因电池绒面表面光滑平整而使反射 光损失，增加入射光在电池里面的光程，提高反射次数，从而提高电池的短 路电流和开路电压，提高了转换效率。

本实用新型提供的一种太阳能电池，包括：

多晶硅片；

所述多晶硅片的上表面设置有具有第一凹坑深度的第一扩散层；

所述第一扩散层的上表面设置有刻蚀层；

所述刻蚀层的上表面设置有具有第二凹坑深度的第二扩散层，所述第二 凹坑深度大于所述第一凹坑深度。

优选的，在上述太阳能电池中，所述第二扩散层的上表面设置有双层氮 化硅膜。

优选的，在上述太阳能电池中，所述双层氮化硅膜的上表面设置有正电 极。

优选的，在上述太阳能电池中，所述多晶硅片的背面设置有背电极。

优选的，在上述太阳能电池中，所述多晶硅片的背面还设置有背电场。

优选的，在上述太阳能电池中，所述多晶硅片和所述背电场之间还设置 有P+层。

本实用新型提供的上述太阳能电池，由于所述多晶硅片的上表面设置有 具有第一凹坑深度的第一扩散层，所述第一扩散层的上表面设置有刻蚀层， 所述刻蚀层的上表面设置有具有第二凹坑深度的第二扩散层，所述第二凹坑 深度大于所述第一凹坑深度，因此能够增加最终形成的绒面的凹坑深度，增 强对太阳光的吸收，减少因电池绒面表面光滑平整而使反射光损失，增加入 射光在电池里面的光程，提高反射次数，从而提高电池的短路电流和开路电 压，提高了转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来 讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种太阳能电池的示意图。

具体实施方式

本实用新型的核心思想在于提供一种太阳能电池，增大了表面的凹坑深 度，增强对太阳光的吸收，减少因电池绒面表面光滑平整而使反射光损失， 增加入射光在电池里面的光程，提高反射次数，从而提高电池的短路电流和 开路电压，提高了转换效率。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术 方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部 分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本 实用新型保护的范围。

本申请实施例提供的一种太阳能电池如图1所示，图1为本申请实施例提 供的一种太阳能电池的示意图。该太阳能电池包括：

多晶硅片1，这里选取的多晶硅片1首先要经过清洗，保证其具有清洁的 表面，才能进行后续的步骤；