[实用新型]一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构

权利要求书

1.一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于：它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第三引线框（23）、第一芯片（24）和第二芯片（25），所述第二引线框（22）和第三引线框（23）呈Z形，所述Z形的第二引线框（22）包括第一上水平段（221）、第一中间连接段（222）和第一下水平段（223），所述Z形的第三引线框（23）包括第二上水平段（231）、第二中间连接段（232）和第二下水平段（233），所述第一芯片（24）夹设在第一引线框（21）与第一上水平段（221）之间，所述第一芯片（24）背面配置于所述第一引线框（21）上，所述第一芯片（24）的背面和正面分别通过锡膏（26）与第一引线框（21）和第一上水平段（221）电性连接，所述第二芯片（25）夹设在第一上水平段（221）与第二上水平段（231）之间，所述第二芯片（25）正面配置于所述第一上水平段（221）上，所述第二芯片（25）的正面和背面分别通过锡膏（26）与第一上水平段（221）和第二上水平段（231）电性连接，所述第一引线框（21）、第二引线框（22）和第三引线框（23）外包封有塑封料（27），所述第一引线框（21）下表面、第一下水平段（223）下表面和第二下水平段（233）下表面齐平，所述第一引线框（21）下表面、第一下水平段（223）下表面、第二下水平段（233）下表面以及第二上水平段（231）上表面均暴露在塑封料之外。

2.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于：所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃的导电材质。

3.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于：所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。

4.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片混装堆叠夹芯封装结构，其特征在于：所述第一芯片（24）也可正面配置于所述第一引线框（21）上，此时所述第二芯片（25）背面配置于所述第一上水平段（221）上。