[实用新型]多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体二极管领域，特别涉及一种多层玻钝硅芯片轴 向封装超高压二极管。

背景技术

随着超高压半导体技术的发展，超高压半导体的应用领域也越来越广泛， 对超高压半导体二极管的性能要求也越来越高。现有的玻钝硅芯片轴向封装高 压二极管均采用单层硅芯片，二极管反向耐压仅能达到2000V，无法满足超高 压的要求。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种采用玻钝硅芯片进行轴向封装而成的超高压二 极管，显著提高反向耐压能力。

为此，本实用新型所采用的技术方案为：一种多层玻钝硅芯片轴向封装超 高压二极管，包括玻钝硅芯片、两铜引线和环氧塑封体，所述玻钝硅芯片至少 为两个，且玻钝硅芯片的小窗口面均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片之间设 置有铜粒，且铜粒与玻钝硅芯片通过焊料焊接固定，所有玻钝硅芯片组合成多 层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料与对应侧的铜引 线的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线的外端头外，其余部分均在环氧 塑封体内。

作为上述方案的优选，所述铜粒为圆片，铜粒的直径为玻钝硅芯片的边 长的70％，铜粒的厚度为0.08mm。采用圆片形状的铜粒结合焊料进行焊接， 焊接后的牢固性更好。

进一步地，所述铜引线的内侧端设置有铜线凸点，铜线凸点与多层玻钝硅 芯片组通过焊料焊接，铜引线的内侧靠近铜线凸点的位置处设置有钉头。

本实用新型的有益效果是：采用多个玻钝硅芯片焊接组合成玻钝硅芯片 组，相比单层硅芯片，承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求。 由于玻钝硅芯片小窗口面微微凸出，若直接使用焊料焊接两玻钝硅芯片，可能 会导致虚焊，在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性， 通过试验验证，增加铜粒焊接的良品率能达到95％以上，而单独采用焊料进行 焊接的良品率仅为60％—70％。

附图说明

图1是本实用新型的透视图。

具体实施方式

下面通过实施例并结合附图，对本实用新型作进一步说明：

如图1所示，一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，主要由至少两 个玻钝硅芯片1、两铜引线2、环氧塑封体3、铜粒4和焊料5组成。

玻钝硅芯片1至少为两个，可以是三个或更多。玻钝硅芯片1的小窗口面 1a均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片1之间设置有铜粒4，铜粒4与玻钝硅 芯片1通过焊料5焊接固定。所有玻钝硅芯片1组合成多层玻钝硅芯片组，多 层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料5与对应侧的铜引线2的内端头焊接，整 个超高压二极管除铜引线2的外端头外，其余部分均在环氧塑封体3内。

最好是，铜粒4为圆片，铜粒4的直径为玻钝硅芯片1的边长的70％， 铜粒4的厚度为0.08mm。

另外，铜引线2的内侧端设置有铜线凸点2a，铜线凸点2a与多层玻钝硅 芯片组通过焊料5焊接，铜引线2的内侧靠近铜线凸点2a的位置处设置有钉 头2b。