[实用新型]一种等离子体刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备。

背景技术

半导体元件加工过程中，常采用等离子体刻蚀法对衬底进行刻蚀以制备图形化衬底，或者对晶圆进行刻蚀，以制备所需图案的晶圆。等离子体刻蚀法通常采用等离子体刻蚀设备进行刻蚀。

目前，常见的等离子刻蚀设备通常包括3个腔体：放置载盘的第一腔体，传送载盘的第二腔体和刻蚀载盘上基片的第三腔体。在设备运作过程中，第一腔体为非真空环境，而第三腔体必须通过抽真空系统形成真空环境，因此当第二腔体作为传送腔时，需要在真空环境和非真空环境下进行切换。当第二腔体由真空环境向非真空环境切换时，气体通过进气孔进入第二腔体内进行破气，目前破气时等离子体刻蚀设备的进气孔靠近载盘位置，破气时造成气流扰动，产生扬尘，易对载盘上的基片污染；同时载盘上方无任何保护装置，气体中的颗粒等杂质掉落基片上也易对其造成污染。

发明内容

为解决现有等离子体刻蚀设备的不足，本实用新型提供一种改进的等离子体刻蚀设备，通过在第二腔体内增加遮罩装置对载盘上的基片进行保护，防止载盘上的基片在第二腔体破气时气体中脏污对其的污染，提高基片的刻蚀良率。具体技术方案如下：

一种等离子体刻蚀设备,用于对基片进行等离子体刻蚀，至少包括：承载复数个基片的载盘、放置复数个载盘的第一腔体、传送所述载盘的第二腔体、以及刻蚀所述基片的第三腔体，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别通过自由开关的隔板连接，通过控制所述隔板开关状态，实现所述第一腔体、第二腔体和第三腔体的连通或隔离；所述第二腔体内设置有传送装置，用于在第一腔体和第三腔体之间传送所述载盘；第一腔体为非真空腔体、第三腔体为真空腔体、而第二腔体在真空腔体和非真空腔体之间切换；其特征在于：所述第二腔体内于所述载盘上方还设置一遮罩装置，当所述遮罩装置罩于所述载盘上时，保护所述载盘上的基片免受污染。

优选的，所述遮罩装置包括一驱动机构、一伸缩连杆、一遮罩，所述驱动机构和遮罩连接于所述伸缩连杆的两端，所述驱动机构通过所述伸缩连杆驱动所述遮罩的升降。

优选的，所述遮罩包括遮板和沿所述遮板周边向下延伸的侧板。

优选的，所述侧板上具有复数个供气体进出以平衡所述遮罩内外压强的筛孔。

优选的，所述筛孔均匀分布或者不均匀分布。

优选的，所述遮罩的大小与所述载盘匹配。

优选的，所述第二腔体内具有供气体进出的进气孔和出气孔。

优选的，所述气孔远离所述载盘位置，并且所述进气孔上方具有栅网。

优选的，所述第一腔体内设置复数个用于放置所述载盘的载盘架。

优选的，所述传送装置为机械手。

本实用新型至少具有以下有益效果：

通过在第二腔体内增设遮罩装置，当第二腔体由真空环境向非真空环境切换破气时，遮罩装置中的遮罩下降并恰好罩于载盘上，保护载盘上的基片，防止破气时进入腔体的气体以及腔体中的脏污对载盘上基片的污染；另外，将第二腔体的进气孔设置于远离载盘的位置，并在进气孔上方增设栅网，同样防止扬尘产生，避免破气时对基片的污染。

附图说明

图1为本实用新型之等离子体刻蚀设备俯视结构示意图。

图2为本实用新型之第一腔体侧视结构示意图。

图3为本实用新型之第二腔体侧示结构意视图。

图4为本实用新型之遮罩立体结构示意图。

附图标注：

10.第一腔体；11.载盘；12.载盘架；20.第二腔体；21.传送装置；22.遮罩装置；221.驱动机构；222.伸缩连杆；223.遮罩；2231.遮板；2232.侧板；22320.筛孔；23.进气孔；231.栅网；24.出气孔；25.真空系统；30.第三腔体；40.挡板。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。需说明的是，本实用新型的附图均采用非常简化的非精准比例，仅用以方便、明晰的辅助说明本实用新型。