[实用新型]硅微通道散热GaN微波功率器件有效
| 申请号： | 201521108274.9 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN205211734U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通道 散热 gan 微波 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.硅微通道散热GaN微波功率器件，其特征在于，包括GaN微波功 率器件本体、Si微通道散热器和焊料层，所述Si微通道散热器的底部 开设有多个微通道，所述GaN微波功率器件本体通过所述焊料层与所述 Si微通道散热器远离所述多个微通道的表面粘接。
2.根据权利要求1所述的硅微通道散热GaN微波功率器件，其特 征在于，所述多个微通道的形状为矩形、三角形或圆形。
3.根据权利要求1或2所述的硅微通道散热GaN微波功率器件， 其特征在于，所述Si微通道散热器还包括盖板，所述盖板贴合在所述 Si微通道散热器底部并且密闭所述多个微通道。
4.根据权利要求1或2所述的硅微通道散热GaN微波功率器件， 其特征在于，所述Si微通道散热器与所述GaN微波功率器件本体的粘 接表面的尺寸大小相同。
5.根据权利要求1所述的硅微通道散热GaN微波功率器件，其特 征在于，所述焊料层为AuSn金属层。
6.根据权利要求1所述的硅微通道散热GaN微波功率器件，其特 征在于，所述GaN微波功率器件本体具有SiC衬底，所述SiC衬底通过 所述焊料层与所述Si微通道散热器远离所述多个微通道的表面粘接。
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