[实用新型]一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置

权利要求书

1.一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置，用于对晶硅表面进行氧 化处理，其特征在于，包括：

-羟基发生室(2)，内设有电解液以及浸入所述电解液中、分别与电源的正、 负极连接的阳极体和阴极体，所述阳极体能够将羟基发生室(2)中部分电解液 中的水分子分解成羟基和氢的自由基并混入该电解液中形成混合液；

-施加装置(4)，与所述羟基发生室(2)通过第一管道连通，所述第一管 道上设有能够将所述羟基发生室(2)中的混合液输送到所述施加装置(4)上 的第一动力装置，所述施加装置(4)能够将所述混合液施加到所述晶硅的表面。

2.根据权利要求1所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述羟基发生室(2)上还设有前端处理装置(6)，所述前端处理 装置(6)包括与所述羟基发生室(2)通过第二管道连接的储液室(8)，所述 储液室(8)内设有电解质，所述第二管道内设有能够将所述储液室(8)中的 电解液输送至所述羟基发生室(2)中的第二动力装置。

3.根据权利要求2所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述前端处理装置(6)还包括设置在所述储液室(8)上的进液 管，所述进液管内的液态水以及电解质通过第三动力装置驱动输送至所述储液 室(8)内，并在所述储液室(8)内混合。

4.根据权利要求3所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述进液管上连接有用于向其中添加液态水的加水装置以及添加 电解质的加药泵(12)，所述加水装置与所述进液管之间连接有用于控制液态水 流量的流量计(12)。

5.根据权利要求4所述的一种抗电势诱导衰减效应的晶硅表面氧化装置， 其特征在于，所述流量计(12)的流量以及所述加药泵(12)的添加量均通过 伺服控制。