[实用新型]一种用于励磁调速系统中的PWM模拟DA输出电路有效
申请号: | 201521113395.2 | 申请日: | 2015-12-27 |
公开(公告)号: | CN205304769U | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 杨立军 | 申请(专利权)人: | 天津市品通电力科技有限公司 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 张莹 |
地址: | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 调速 系统 中的 pwm 模拟 da 输出 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于电力应用领域,尤其是涉及一种用于励磁调速系统中的 PWM模拟DA输出电路。
背景技术
励磁技术是一种先进的发电及调速驱动技术,现今已被广泛应用。
发明内容
有鉴于此,本实用新型旨在提出一种电路设计简单、稳定性好的用于励 磁调速系统中的PWM模拟DA输出电路。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种用于励磁调速系统中的PWM模拟DA输出电路,包括处理器、磁耦 隔离器U4、一级运算放大器U1、二级运算放大器U2、三级运算放大器U3、 三极管T1和三极管T2,所述磁耦隔离器U4的第三管脚接所述处理器,所述 磁耦隔离器U4的第十四管脚依次通过电阻R1、电阻R2、一级运算放大器U1、 二级运算放大器U2、三级运算放大器U3后与所述三极管T1的基极相连,所 述二级运算放大器U2的第七管脚依次通过电阻R7、可变电阻RW1和电阻R6 后接地,所述可变电阻RW1的滑片与二级运算放大器U2的第六管脚相连, 所述三极管T1的集电极分两路,一路通过电阻R4后与12V电源相连,另一 路与所述三极管T2的集电极相连,所述三极管T1的发射极与所述三极管T2 的基极相连,所述三极管T2的发射极分三路,第一路通过电阻R3与三级运 算放大器U3的第九管脚相连,第二路通过电阻R8后接地,第三路通过二极 管D1、电阻R5后输出控制信号。
进一步的,所述处理器为TI公司的DSP,型号为TMS320F28335。
进一步的,所述磁耦隔离器U4型号为ADUM1410。
进一步的,所述一级运算放大器U1、二级运算放大器U2、三级运算放 大器U3的型号为LM224。
相对于现有技术,本实用新型所述的用于励磁调速系统中的PWM模拟DA 输出电路具有以下优势:由于处理器TMS320F28335本身带PWM输出,不需 要专门的DA芯片,成本较低,且电路设计稳定可靠;具有电路设计简单、 故障率低、电路稳定性好等优点。
附图说明
构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解, 本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实 用新型的不当限定。在附图中:
图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中 的特征可以相互组合。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
如图1所示,一种用于励磁调速系统中的PWM模拟DA输出电路,包括 处理器、磁耦隔离器U4、一级运算放大器U1、二级运算放大器U2、三级运 算放大器U3、三极管T1和三极管T2,所述磁耦隔离器U4的第三管脚接所 述处理器,所述磁耦隔离器U4的第十四管脚依次通过电阻R1、电阻R2、一 级运算放大器U1、二级运算放大器U2、三级运算放大器U3后与所述三极管 T1的基极相连,所述二级运算放大器U2的第七管脚依次通过电阻R7、可变 电阻RW1和电阻R6后接地,所述可变电阻RW1的滑片与二级运算放大器U2 的第六管脚相连,所述三极管T1的集电极分两路,一路通过电阻R4后与12V 电源相连,另一路与所述三极管T2的集电极相连,所述三极管T1的发射极 与所述三极管T2的基极相连,所述三极管T2的发射极分三路,第一路通过 电阻R3与三级运算放大器U3的第九管脚相连,第二路通过电阻R8后接地, 第三路通过二极管D1、电阻R5后输出控制信号。所述处理器为TI公司的 DSP,型号为TMS320F28335,所述磁耦隔离器U4型号为ADUM1410,所述一 级运算放大器U1、二级运算放大器U2、三级运算放大器U3的型号为LM224。
本实例的工作过程:处理器为TI公司的DSP,型号为TMS320F28335, 其带有PWM功能输出,PWM输出经过磁耦隔离器U4进行信号隔离,这样输出 端与主芯片可进行隔离,增加系统的可靠性,然后经过三级运放进行信号的 处理,并经过二极管D1进行保护输出。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新 型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进 等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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